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铠侠宣布年内量产9代BiCS FLASH技术

2025-07-29
來源:芯智讯
關(guān)鍵詞: 铠侠 NAND 闪存

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近日,日本NAND Flash閃存大廠鎧俠(Kioxia)宣布,將在今年內(nèi)量產(chǎn)其第9代BiCS  3D NAND FLASH閃存技術(shù)的512Gb TLC產(chǎn)品已開始進(jìn)行樣品出貨,預(yù)估將在今年度內(nèi)(2026年3月底之前)進(jìn)行量產(chǎn)。

鎧俠表示,上述產(chǎn)品采用以第5代BiCS FLASH技術(shù)為基礎(chǔ)的120層堆疊制程技術(shù)和最新的CMOS技術(shù),和該公司2022年開始生產(chǎn)的第6代BiCS FLASH產(chǎn)品相比,寫入性能提高61%、讀取性能提高了12%,并且功耗改善了約30%(寫入時(shí)改善36%、讀取時(shí)改善27%)。

鎧俠第9代BiCS FLASH 3D閃存產(chǎn)品利用四日市工廠生產(chǎn),預(yù)估將應(yīng)用于智能手機(jī)等用途。

值得一提的是,鎧俠6月5日公布了中長(zhǎng)期營(yíng)運(yùn)計(jì)劃,目標(biāo)在截至2029年度為止的5年內(nèi)、將產(chǎn)能提高至2024年度的2倍。鎧俠將在日本2座主要工廠(四日市工廠、北上工廠)擴(kuò)增產(chǎn)線、增產(chǎn)AI數(shù)據(jù)中心用NAND Flash。

鎧俠北上工廠“第2廠房(K2)”將在9月投產(chǎn)、生產(chǎn)第8代NAND Flash “BiCS8”,而鎧俠將提高 “BiCS8”生產(chǎn)比重,目標(biāo)在2026年3月將其營(yíng)收規(guī)模超越目前產(chǎn)品。


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