8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。
SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。
▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存
按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。
注：從代際發布間隔來看，美光從 232 層 NAND 閃存到 276 層用時 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 間隔約 1.5 年。
韓媒在報道中還提到，SK 海力士新的 400+ 層堆疊 NAND 閃存將采用不同于現有“4D NAND”的整體結構：
SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術，將外圍控制電路放置在存儲單元的下方，較更傳統的外圍電路側置設計可減少芯片占用空間。
而 SK 海力士未來的 NAND 將在兩塊晶圓上分別制造外圍電路和存儲單元，此后采用 W2W（晶圓對晶圓）形式的混合鍵合技術，將這兩部分整合為完整的閃存。
換句話說，SK 海力士也將采用類似長江存儲 Xtacking、鎧俠-西部數據 CBA 的結構設計。
報道指出，SK 海力士已在著手構建 NAND 混合鍵合所需的原材料與設備供應鏈，正對混合鍵合技術與材料進行新的審查；此外三星電子也考慮在下一代 NAND 生產中應用混合鍵合。
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