6 月 5 日消息，今年 2 月，@Tech_Reve 曾爆料稱，高通驍龍 8 Gen 4 等今年的旗艦芯片都將基于臺積電 3nm 工藝制造，而明年推出的驍龍 8 Gen 5 將會同時采用臺積電 + 三星電子生產。
在昨日于臺北國際電腦展舉行的一次媒體發布會上，高通 CEO 克里斯蒂亞諾?安蒙在回答一位記者有關“依賴臺積電生產智能手機芯片的風險”時表示，他正考慮讓臺積電與三星電子實施雙源生產戰略。
安蒙表示：“目前的首要任務是專注于臺積電的代工生產，但讓一家公司同時處理這兩個方面可能需要付出巨大努力。” 他歡迎與臺積電和三星電子繼續合作，并表示將繼續支持這種方式。
眾所周知，初代驍龍 8 芯片便是由三星電子代工，但由于過熱等問題后續又轉向了臺積電。然而，隨著剛剛發布的驍龍 X Elite 芯片需求急劇增加，高通似乎不得不再次考慮與三星進行合作。
此外，高通內部也對三星電子下一代 2nm 工藝制程表示贊賞，并正在考慮重新分配產能，以實現其制造過程的多元化。
@Tech_Reve 曾爆料稱，高通計劃繼續讓臺積電來生產驍龍 8 Gen 5 芯片（N3E），而用于 Galaxy S26 系列手機的驍龍 8 Gen 5 for Galaxy 芯片將采用三星 SF2P 工藝。
注：與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復雜度下減少 5% 的面積。
為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
而 SF2P 是在 SF2 工藝基礎上，針對高性能計算（HPC）再次優化，預估在性能方面會有更大的改進。
