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三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代
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三星宣布计划将FinFET制程导入NAND Flash
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联电称与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术明年通过验证
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台积电欧洲首座晶圆厂将在德国动工
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Agile Analog宣布已成功在格芯两大工艺上提供可定制的模拟IP
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Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片
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新思科技携手是德科技、Ansys推出先进 N4P工艺全新参考流程
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10Gbps！全球最强LPDDR5/5X IP成功量产
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5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能
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Arasan宣布为格芯12nm FinFET工艺节点提供MIPI D-PHY(SM) IP
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英特尔展示多项技术突破，推动摩尔定律超越2025
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三星推新工艺，将FinFET带到28nm，首攻CIS堆叠？
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Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET
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FinFET器件结构发展综述
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台积电3纳米今年试产！与5nm、7nm 100% IP 兼容！
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IP全国产迈出关键一步，TSMC FinFET N+1芯片问市
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台积电2nm工艺获重大突破！
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FinFET寿终正寝！台积电2nm GAA工艺结束路径探索阶段
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台积电的GAA-FET什么时候到来？
發(fā)表于：2020/8/27 下午1:24:15
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中国台湾：台积电2nm大突破
發(fā)表于：2020/7/14 上午7:54:00
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英特尔5nm制程电晶体面临瓶颈，或弃用 FinFET专用GAA环绕栅极电晶体？
發(fā)表于：2020/3/16 下午4:20:24
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先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术
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格芯成功研发22FDX技术,能让英特尔、三星等行业巨头研究多年的eMRAM究竟有何魅力？
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3nm、5nm制程：复杂且昂贵的争夺战（一）
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