10月23日消息，自從Intel首次在22nm工藝節點引入Finfet晶體管之后，邏輯工藝正式進入3D時代，現在三星也要在閃存芯片上首發3D晶體管技術了。
FinFET是一種3D結構的晶體管，其結構類似魚鰭Fin，進而得名鰭式晶體管，相比傳統的2D平面晶體管優點很多，Intel率先在22nm節點上使用，臺積電三星在14/16nm節點跟進，如今是先進工藝的基礎結構了。
存儲芯片因為結構不同，因此多年來還是傳統2D晶體管結構，日前在SEDEX 2025會議上，三星DS設備部門技術長Song Jae-hyuk發表了主題演講，提到要想實現客戶預期的性能和能效，需要在單位面積內堆疊更多的晶體管，3D FinFET就是創新技術的核心之一。
三星這番表態意味著將在業界首次在NAND閃存芯片中使用3D晶體管技術，進一步大幅提升閃存的存儲密度，提高性能。
閃存用上3D晶體管之后，三星提到了諸多好處，包括信號傳輸速度提升，功耗更低，尺寸更小等等。
不過三星這番表態還是技術上的，目前還沒有確定哪款閃存會用上3D晶體管技術，商業化還要等。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。