近日，晶圓代工大廠聯電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術平臺進展順利，預計2026年完成制程開發并通過驗證。聯電還披露了封裝領域進展，晶圓級混合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支持邊緣及云端AI應用。

雖然全球半導體產業面臨多重挑戰，聯電2024年依然交出每股稅后收益新臺幣3.8元的成績單，有鑒于陸系成熟制程廠商不斷開出產能，為避免走向競價商模，聯電轉型特殊制程及差異化應用，并為AI時代做好準備。

聯電強調，與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術平臺，預計2026年完成制程開發并通過驗證，符合該公司設定2027年量產時程。有鑒于美國政府提升美國制造重要性，特別是半導體領域生產需求，市場解讀，這項合作更是聯電追求成本效益產能擴張及技術升級的重要策略，目前進展順利，對其商機持樂觀態度，并肯定聯電12nm技術的競爭力。

在先進封裝技術方面，聯電利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding）實現尺寸微縮，已完成產品驗證，預計于今年進入量產；在邊緣AI方面，與供應鏈建立W2W 3D IC項目，進入邏輯芯片與客制化內存的異質整合驗證；并成功在硅中介層加入深溝槽電容（Deep Trench Capacitor，DTC），為2.5D封裝芯片提供電源完整性，已完成產品驗證并進入試產。

聯電去年資本支出約29億美元，主要用于臺南Fab 12A、新加坡Fab 12i與中國Fab 12X的產能擴充，及各廠產品組合的優化。聯電強調，多元制造基地布局，成為該公司在地緣政治復雜變化中的競爭優勢，臺灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。

聯電去年研發支出156億元，除了前述12nm平臺外，還成功開發22nm圖像信號處理器、28奈米嵌入式高壓低功耗制程平臺及氮化鎵元件制程。

此外，值得注意的是，氮化鎵射頻開關元件制程進入量產，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元件制程及氮化鎵650V功率元件制程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。