5月14日，臺(tái)系晶圓代工大廠聯(lián)華電子宣布推出用于顯示驅(qū)動(dòng)芯片的14納米嵌入式高壓（eHV）FinFET技術(shù)平臺(tái)，并已向客戶(hù)提供制程設(shè)計(jì)套件（PDK）用于設(shè)計(jì)導(dǎo)入。該全新制程已在聯(lián)電12A廠完成驗(yàn)證，可提升電源效率與性能，同時(shí)縮小芯片尺寸，助力新一代顯示技術(shù)發(fā)展。

相較于聯(lián)電目前量產(chǎn)中最先進(jìn)的22納米eHV解決方案，14納米eHV FinFET平臺(tái)可降低40%的功耗，芯片面積縮小35%，進(jìn)一步延長(zhǎng)電池續(xù)航能力，并支持更小型、輕薄的驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)，以滿(mǎn)足高階及折疊式OLED智能手機(jī)的顯示應(yīng)用需求。在數(shù)字電路方面，14納米平臺(tái)以FinFET晶體管取代平面晶體管，通過(guò)優(yōu)化的I/O元件設(shè)計(jì)與更高的驅(qū)動(dòng)速度，進(jìn)一步提升電氣性能，確保信號(hào)完整性，并支持高分辨率顯示應(yīng)用所需的高刷新率。此外，優(yōu)化的中壓元件具備更小的線寬間距，支持更寬的電壓操作范圍，為驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)提供更高靈活性。

聯(lián)電技術(shù)研發(fā)副總經(jīng)理徐世杰表示，顯示應(yīng)用無(wú)所不在，市場(chǎng)需求將持續(xù)向更高畫(huà)質(zhì)、更快速度與更低功耗的方向發(fā)展。聯(lián)電很高興能在顯示驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)持續(xù)保持領(lǐng)先地位，此次14納米eHV平臺(tái)的推出，是首次將FinFET技術(shù)導(dǎo)入顯示驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，具有重要里程碑意義。隨著客戶(hù)產(chǎn)品功能不斷升級(jí)，聯(lián)電將持續(xù)以領(lǐng)先的制程技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)將創(chuàng)新構(gòu)想化為可量產(chǎn)的成果。

聯(lián)電長(zhǎng)期在OLED顯示驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位，是目前業(yè)界唯一提供最先進(jìn)22納米顯示驅(qū)動(dòng)IC解決方案的晶圓代工廠。憑借領(lǐng)先的eHV制程技術(shù)、完整的IP資源與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支持能力，聯(lián)電以涵蓋0.6微米至14納米的高壓制程技術(shù)平臺(tái)，為顯示產(chǎn)業(yè)提供最完整的解決方案，攜手客戶(hù)共同引領(lǐng)顯示新世代。