6月20日消息，據(jù)科技媒體FundaAI報道，英特爾已與中國臺灣第二大晶圓代工廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）達(dá)成合作，共同開發(fā)12nm與3nm芯片制造工藝。

這一合作標(biāo)志著長期專注于成熟制程的聯(lián)電，將通過英特爾的美國工廠重新進入前沿半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，這也是英特爾CEO陳立武強化代工業(yè)務(wù)、爭奪臺積電市場份額的關(guān)鍵一步。

自2017年宣布退出10nm以下先進制程競爭后，聯(lián)電長期專注于成熟制程和特殊工藝。然而，隨著人工智能時代對先進芯片需求激增，其市場份額持續(xù)萎縮，近兩年已經(jīng)被中芯國際超越跌至第四，2026年第一季度市場份額已經(jīng)降至3.9%，排名全球第四。

與此同時，2021年3月，帕特·基辛格出任英特爾CEO后，正式提出“IDM 2.0”戰(zhàn)略，加速尖端制程的開發(fā)，并重啟了晶圓代工業(yè)務(wù)，目標(biāo)是2030年成為全球第二大晶圓代工廠。

為了開拓晶圓代工市場，英特爾找來了擁有豐富客戶資源的聯(lián)電進行合作。雙方在2024年1月宣布將共同開發(fā)12nm FinFET工藝平臺，并利用英特爾在亞利桑那州的Ocotillo園區(qū)的產(chǎn)能來共同開發(fā)客戶。

但是隨后英特爾由于大規(guī)模的產(chǎn)能擴建計劃和主營業(yè)務(wù)的受挫，在2024年下半年爆發(fā)了嚴(yán)重的財務(wù)危機。2025年，新任CEO陳立武上任后，雖然暫停了多項美國以外的產(chǎn)能擴張計劃，但是并未放棄代工業(yè)務(wù)，而是聚焦尖端制程和美國本土晶圓代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。

根據(jù)最新的報道，聯(lián)電與英特爾的12nm合作進展迅速：工藝設(shè)計套件預(yù)計于2026年內(nèi)交付客戶，2027年初完成流片，年底實現(xiàn)量產(chǎn)。該節(jié)點產(chǎn)品將主要面向物聯(lián)網(wǎng)、WiFi芯片等市場。

聯(lián)電總裁王石在2026年5月證實，該項目的驗證工作正在英特爾亞利桑那州工廠進行，預(yù)計年底完成，2027年量產(chǎn)。

此次3nm制程合作基于同樣的邏輯：英特爾提供制造能力（特別是基于FinFET晶體管設(shè)計經(jīng)驗），而聯(lián)電則貢獻(xiàn)其在成熟節(jié)點上豐富的代工服務(wù)經(jīng)驗，尤其是積累的客戶資源，以提升英特爾工廠的產(chǎn)能利用率。

據(jù)悉，聯(lián)電與英特爾本次3nm合作生產(chǎn)將集中在英特爾位于美國亞利桑那州Ocotillo園區(qū)的工廠（包括Fab 12、Fab 22和Fab 32），也有消息稱主要是Fab 52。

這對于聯(lián)電來說則意味著，其能夠在不投入巨額資本購置極紫外（EUV）光刻機等尖端設(shè)備和獨自建廠的前提下（規(guī)避了巨額成本與風(fēng)險），通過與英特爾合作，獲得進入尖端制程市場的入場券。

報道稱，雖然聯(lián)電與英特爾在3nm上的合作模式與之前的12nm協(xié)議類似，但目標(biāo)更為宏大——雙方計劃開發(fā)一個性能對標(biāo)臺積電3nm的制程節(jié)點，直接爭奪先進制程代工市場。

這一合作將使聯(lián)電時隔近十年后，重返由臺積電、三星主導(dǎo)的先進制程賽道。對于英特爾而言，這也是其首次以合作模式涉足3nm級別的代工服務(wù)，是其向客戶證明其制造能力的有力舉措。

截至發(fā)稿時，英特爾與聯(lián)電均未就此傳聞進行回應(yīng)。