消費電子最新文章 产能将激增 明年下半年内存或将显著降价 5月19日消息，当前，人工智能市场对存储芯片的需求激增，导致内存业陷入供不应求的上行景气周期中，但一名资深行业专家指出，这一局面可能在明年下半年发生改变。 發表于：2026/5/19 玻璃多维永久光存储技术迎来重大突破 "5月19日，由华中科技大学科研团队主导、武汉一尧科技落地产业化的玻璃多维永久光存储技术迎来重大突破。该技术依靠飞秒激光在玻璃内部完成三维纳米级刻写，打造四百层立体存储结构，搭配多维编码方式实现高密度长寿命数据固化存储。其2毫米厚的玻璃存储碟片单碟理论最高容量可达360TB，数据写入后可稳定保存长达十万年，该介质具备耐高温、抗腐蚀、耐辐射、静置零能耗的特性，原材料储量充足绿色无污染，介质成本仅为传统硬盘的十分之一。该技术斩获2024年全国颠覆性技术创新大赛最高奖项，目前已完成小规模量产，正推进落地云存储、档案归档、医疗影像等领域。" 發表于：2026/5/19 AI热潮冲击供应链 苹果DRAM议价权削弱 5 月 19 日消息，据韩国《中央日报》昨日报道，随着 AI 数据中心对高性能存储芯片的需求呈爆发式增长，苹果在 DRAM 芯片采购方面的传统议价主导地位正遭到削弱，其采购策略已从“追求最优价格”转向“确保足够货源”。 發表于：2026/5/19 美国FTC对Arm启动反垄断调查 5月15日美股盘后，彭博社援引知情人士消息率先爆料称，美国联邦贸易委员会（FTC）已正式对Arm启动反垄断调查。消息一经发酵，Arm股价在15日收盘暴跌8.46%，市值单日蒸发逾百亿美元，成为费城半导体指数和纳斯达克100指数成份股中跌幅最大的个股。 發表于：2026/5/19 刷新纪录！国产CPU极限超频达5.15GHz 海光信息新一代终端CPU完成极限性能验证测试。在液氮低温极限环境下，处理器单核主频成功冲至5.15GHz，刷新国产终端CPU主频纪录，也意味着国产CPU处理器首次正式迈入5GHz时代。 發表于：2026/5/18 谷歌Tensor G6曝光 2nm工艺与7核CPU 5月18日消息，随着2026年8月Pixel 11系列发布会的临近，谷歌新一代自研芯片Tensor G6（代号“Malibu”）的详细规格正逐步浮出水面。据Wccftech、Android Authority等外媒报道，Tensor G6将采用台积电2nm工艺，配备7核CPU以及Imagination PowerVR CXTP-48-1536 GPU。 發表于：2026/5/18 半导体涨价潮蔓延至电源管理IC 5月17日消息，据报道，半导体涨价潮蔓延至电源管理IC领域，业内传出德州仪器、MPS以及联发科旗下立锜等大厂，计划6至7月上调产品报价，茂达、硅力等厂商也陆续启动调价协商，行业下半年盈利有望改善。 發表于：2026/5/18 三星研发下一代移动HBM封装技术 带宽有望提升30% 5月15日消息，据科技媒体Trendforce报道，三星电子正在积极开发面向智能手机和平板电脑等移动设备的下一代HBM（高带宽内存）封装技术，旨在为移动端AI应用提供强大的算力支撑。该技术名为"多层堆叠FOWLP"，被视为三星此前VCS（垂直铜柱堆叠）技术的重大升级，有望将移动内存带宽提升15%至30%。 發表于：2026/5/18 苹果与OpenAI战略合作正面临破裂危机 5月15日，彭博社报道，据知情人士透露，苹果公司与OpenAI长达两年的战略合作正面临破裂危机。因商业回报远未达到预期，OpenAI方面正考虑采取法律手段。 發表于：2026/5/15 领先三星 京东方第8.6代OLED项目提前至本月底量产 5月14日消息，据报道，京东方计划于本月底在其成都的B16工厂开始量产第8.6代OLED面板。得益于B16工厂已于去年12月30日提前五个月完成设备搬入，本次量产进度比原定计划提前了一个多月。 發表于：2026/5/15 英特尔开始试产苹果部分低端自研芯片 5月15日消息，苹果供应链分析师郭明錤透露，英特尔已启动苹果部分低端iPhone、iPad、Mac自研芯片的小规模试产，采用英特尔18A先进制程，苹果同时在评估英特尔其他先进工艺节点。 發表于：2026/5/15 2026Q1全球消费端CPU同比跌8.6％ 服务器CPU增13.6% 5 月 14 日消息，市场调查机构 Jon Peddie Research（下文简称 JPR）昨日（5 月 13 日）发布博文，报告称全球消费端 CPU 市场在连续增长 4 个季度后，于 2026 年第 1 季度转跌，环比下滑 15％、同比下降 8.6%，跌幅高于常见季节性水平。 發表于：2026/5/14 消息称微软与SK海力士合作谋求降低AI领域对英伟达依赖 5 月 13 日消息，据《韩国先驱报》13 日援引业内人士消息称，微软正试图在 AI基础设施领域降低对英伟达的依赖，并加强与 SK 海力士等新伙伴的合作。 發表于：2026/5/14 基于高速电平迁移电路的OTP存储阵列供电设计 针对反熔丝OTP存储器在不同工作模式下的电压需求，基于SMIC 28 nm CMOS工艺，提出了一种Cascode结构的Level Shifter单元及分块供电设计。实现了OTP存储器在编程和读取模式下WL/PL和BL端电压的快速切换，使得Level Shifter单元翻转延时小于2 ns，分块供电设计降低了电容的寄生效应对OTP存储器读取阈值的影响，保证了OTP存储器编程和读取功能正常。 發表于：2026/5/13 成本上升20% 高通和联发科正导入2nm制程 5月12日消息，据业内传闻，智能手机芯片大厂高通与联发科都将采台积电最新2nm家族的N2P制程工艺来打造新一代旗舰移动SoC，以期在性能上取得优势，但代价可能是成本将大幅上涨20%，叠加存储芯片的价格上涨，这可能将导致旗舰机销量的下滑。 發表于：2026/5/13 <…14151617181920212223…>
