消費電子最新文章 AMD：CPU与GPU配比向1:1演进 更关键的变化在于 CPU 与 GPU 的配比演进。苏姿丰透露，传统数据中心中 CPU 与 GPU 的比例多为 1:4 或 1:8，主要作为主机节点存在。但随着智能体 AI 普及，这一比例正在向 1:1 靠拢，甚至在智能体密集部署的场景下，CPU 数量可能超过 GPU。 發(fā)表于：2026/5/6 DDR6内存研发正式启动 5月5日消息，全球三大存储巨头已正式启动下一代DDR6内存的全面研发工作，争夺新一代内存标准的主导权。据基板行业多位消息人士5月4日透露，三星、SK海力士、美光等全球主流内存厂商，近期已向合作基板厂商提出DDR6内存的前期开发需求。目前相关厂商已完成初期样品制作，正推进验证工作。 發(fā)表于：2026/5/6 内存告急 苹果多款Mac设备惨遭下架 5月6日消息，由于全球内存短缺危机不断加剧，苹果在线商店近期下架了多款高性能Mac设备。目前，配备32GB和64GB内存的Mac mini已经无法在官网上直接购买，高规格内存版本的短缺情况尤为严峻。 發(fā)表于：2026/5/6 全票通过 美国FCC全面封杀中国实验室 当地时间4月30日，美国联邦通讯委员会（FCC）全票无异议通过一项新提案，未来将禁止中国的实验室为准备进入美国市场的智能手机登电子设备提供检测认证。这项提案过关后，意味着美国对中国电子产品的限制范围将迎来大幅扩张。 發(fā)表于：2026/5/6 美光直言内存已成战略资产 缺货将持续至2027年 近日，存储芯片大厂美光科技（Micron）董事长兼CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受CNBC采访时发出警告称，人工智能（AI）的发展仍处于“早期阶段”（First Innings），但存储芯片的供应已经“极其紧张”，且产能难以快速跟上。这番表态叠加美光此前公布的创纪录财报，为整个科技行业敲响了供需失衡加剧的警钟。 發(fā)表于：2026/5/6 高通“二把手”跳槽英特尔！ 当地时间5月4日，处理器大厂英特尔宣布，高通技术公司前执行副总裁兼移动、计算和扩展现实（XR）业务集团总经理Alex Katouzian正式出任英特尔公司执行副总裁兼客户端计算与物理人工智能集团（Client Computing ?& Physical AI Group）总经理，直接向英特尔CEO陈立武汇报。 發(fā)表于：2026/5/6 英特尔携手AMD发布ACE架构提升AI性能 4 月 30 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 29 日）发布博文，报道称英特尔和 AMD 联合发布人工智能计算扩展（ACE）白皮书，将其定位为 x86 架构的标准矩阵加速方案。 發(fā)表于：2026/4/30 2600亿砸向存储 武汉官宣史诗级扩产 2026年4月29日，武汉豪掷380亿美元（约2600亿人民币）加码存储半导体，全力冲刺全球话语权。存储 “超级周期” 强势兑现，头部企业一季报业绩暴增数十倍，行业供不应求格局明确延续至2027年！今日，武汉正式发布2026年重大项目规划，380亿美元存储扩产计划正式官宣。 本次扩产以长江存储（YMTC）、武汉新芯（XMC） 为双核心，重点布局3D NAND与DRAM两大核心赛道，全方位提升产能规模与技术实力。 發(fā)表于：2026/4/30 TCL华星武汉5.5代印刷OLED产线IT类产品即将量产 4 月 29 日消息，TCL 科技集团股份有限公司今日发布了 2026 年第一季度报告，对重要子公司 TCL 华星的业务发展进行了介绍。 發(fā)表于：2026/4/30 Counterpoint预计2030年近半数智能手机将支持卫星连接 4 月 29 日消息，北京时间 4 月 29 日（今天）晚间，Counterpoint Research 发布最新报告显示，智能手机卫星连接正在进入真正的增长阶段。到 2030 年，全球智能手机出货量中，预计将有 46% 的设备支持非地面网络（NTN）。 發(fā)表于：2026/4/30 SK海力士强化混合键合布局 力拼2027年16层HBM商用化 据韩国媒体TheElec报道，在4月28日于韩国首尔举行的半导体会议上，存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）宣布其应用于高带宽内存（HBM）的混合键合（Hybrid Bonding）技术产量较两年前有显著提升。 發(fā)表于：2026/4/30 CPU价格却越产越贵 英特尔与AMD联发科集体扩产 Intel、AMD、联发科集体扩产：CPU价格却越产越贵！交期已拉长至1年 發(fā)表于：2026/4/29 SK海力士宣布HBM关键技术突破 韩国存储厂商SK海力士宣布，其应用于高带宽内存（HBM）模组的混合键合封装技术良率已实现提升。混合键合技术可让存储芯片厂商无需借助微凸点，即可完成存储晶圆层间的键合连接。这种直接接触的互联方式能够降低发热，进而实现更高传输速率与更优能效表现。据韩国媒体《The Elec》报道，海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）在韩国举办的超越 HBM—— 先进封装核心技术：从下一代基板到模组行业会议上，公布了这一技术进展。 發(fā)表于：2026/4/29 小米自研芯片玄戒O3曝光 主频突破4GHz 4 月 29 日消息，科技媒体 ximitime 昨日（4 月 28 日）发布博文，通过挖掘 Mi Code 数据库，揭示了小米下一代自研芯片“玄戒 O3”（XRING O3）的相关信息。 發(fā)表于：2026/4/29 中国汽车芯片产业创新战略联盟RISC-V车规芯片专委会成立 4 月 29 日消息，中国汽车芯片产业创新战略联盟 RISC-V 车规芯片专委会于 4 月 26 日在 2026 北京车展中国芯展区正式成立。专委会汇聚汽车及汽车电子、芯片设计、IP、软件工具链、制造、测试认证等全产业链核心力量，旨在推动 RISC-V 架构在智能汽车领域规模化落地，构建自主可控、开放协同的车规芯片技术标准与产业生态。 發(fā)表于：2026/4/29 <…17181920212223242526…>
