6月4日消息，在今日（6月4日）的股東會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家透露，臺(tái)積電目前已建設(shè)CoPoS試產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2-3年產(chǎn)量才能達(dá)到相當(dāng)大的規(guī)模。他強(qiáng)調(diào)，先進(jìn)封裝與新材料技術(shù)發(fā)展沒(méi)有捷徑，重點(diǎn)在于與客戶共同驗(yàn)證，并確保量產(chǎn)效率與良率表現(xiàn)。

本次魏哲家給出的時(shí)間點(diǎn)較其此前更為明確，4月魏哲家曾表示，正在搭建CoPoS試產(chǎn)線，預(yù)計(jì)幾年后量產(chǎn)。

臺(tái)積電的CoPoS技術(shù)與關(guān)注度高漲的玻璃基板緊密相關(guān)。其采用方形面板設(shè)計(jì)，以玻璃基板取代部分傳統(tǒng)材料，意在支持更大尺寸AI與HPC芯片封裝需求。

相較于既有CoWoS，CoPoS被看作臺(tái)積電下一階段提高先進(jìn)封裝效率與擴(kuò)大產(chǎn)能的重要方向。CoPoS所需的玻璃材料須具備低熱膨脹系數(shù)、高頻低損耗、高平坦度，以及可進(jìn)行玻璃穿孔等特性，以降低大尺寸封裝可能出現(xiàn)的翹曲與良率挑戰(zhàn)，且支持更精細(xì)的重布線層制程。

也正是基于玻璃基板的優(yōu)異特性，產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)相加速布局，例如英特爾2023年宣布推出業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃載板，預(yù)計(jì)2026至2030年間量產(chǎn)。

不久前英特爾擬在美國(guó)新墨西哥州里奧蘭喬建設(shè)首個(gè)玻璃基板量產(chǎn)制造基地。之后印度政府宣布，英特爾與3DGS計(jì)劃在印度東部奧里薩邦投資約33億美元，建設(shè)一座基板制造工廠，聚焦先進(jìn)封裝玻璃基板、高密度互連基板及相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)，該工廠建成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)玻璃基板約7萬(wàn)片、約5000萬(wàn)個(gè)組裝單元及近1.3萬(wàn)個(gè)先進(jìn)3D異構(gòu)集成模塊。

值得注意的是，英特爾的玻璃基板技術(shù)路線與臺(tái)積電不同，其Glass-Core路線以玻璃芯板替代ABF有機(jī)載板芯層，臺(tái)積電則是以方形玻璃面板和多層RDL替代傳統(tǒng)硅中介層。除了這兩種線路之外，產(chǎn)業(yè)另一個(gè)主要路徑則是CPO光電共封裝方向，玻璃基板可同時(shí)承載高速電互連與低損耗光互連，成為光電共封裝的重要底層材料。

東吳證券將玻璃基板稱為“AI時(shí)代先進(jìn)封裝的新一代底座”。

分析師認(rèn)為，玻璃基板制造核心可概括為“TGV通孔成型、通孔金屬化填充、表面RDL布線、后段檢測(cè)封裝”四大環(huán)節(jié)。整體看，TGV成孔精度、孔內(nèi)無(wú)缺陷填充、銅層附著力、多層RDL對(duì)準(zhǔn)精度和冷熱循環(huán)可靠性，是決定玻璃基板從中試走向量產(chǎn)的核心瓶頸。建議重點(diǎn)關(guān)注具備原片配方、TGV加工、金屬化填充、RDL布線和客戶認(rèn)證能力的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。