據韓國《Edaily》近日報道，三星電子與SK海力士正加速第七代高帶寬內存HBM4E研發，以搶占AI芯片市場先機。
三星已計劃于5月完成HBM4E首批樣品生產，該產品將用于英偉達（NVDA.US）下一代AI加速器，并目標于2027年實現大規模量產。
此前，三星已在英偉達GTC 2026展會首次公開展示HBM4E實物芯片。
SK海力士亦計劃于今年下半年向客戶交付HBM4E樣品。
為提升性能，其正優先采用臺積電（TSM.US）3納米工藝制造邏輯裸片，較此前HBM4所用的12納米工藝實現顯著升級。
隨著英偉達、AMD等主流廠商陸續將HBM4E納入下一代AI加速器設計，韓系兩大存儲企業在高帶寬內存的速度與性能競爭正進一步白熱化。
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