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SK海力士联手NVIDIA开发下一代AI NAND

性能提升10倍!
2025-12-12
來源:快科技

12月11日消息,SK海力士宣布與將NVIDIA展開深度合作,共同開發下一代AI NAND解決方案,旨在解決AI運算與存儲之間長期存在的瓶頸問題。

這款突破性產品預計在2026年底推出首批樣本,其性能相較現有產品將提升近10倍。

SK海力士副社長Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半導體未來技術會議(AISFC)”上指出,SK海力士正專注于針對數據中心和邊緣計算的不同需求,開發高附加值的AI內存產品。

在AI數據中心領域,SK海力士正在開發一套名為“AIN Family”的產品線,該產品線由三種不同側重點的NAND解決方案組成,分別針對性能(AI-NP)、頻寬(AI-NB)和容量(AI-ND)進行優化。

其中,AI-NP是專為大規模AI推論環境設計的核心解決方案,其目標是通過全新的NAND與控制器架構,最大限度地降低AI運算與存儲之間的數據瓶頸,從而大幅提升處理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露,SK海力士正加速與NVIDIA合作進行AI-NP的概念驗證,預計在2026年底將推出采用PCIe Gen 6接口的版本,并支持2500萬次IOPS。

目前數據中心高性能企業級SSD的IOPS最高約在300萬次左右,換言之,AI-NP的首批樣本性能將是現有產品的8至10倍。

SK海力士預期在2027年底左右,將推動支持1億次IOPS的第二代AI-NP產品量產,屆時其性能有望達到現有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP,SK海力士還在優化AI-NB產品,即高頻寬閃存(HBF),其概念類似于HBM內存,但HBM是通過堆疊DRAM實現的,而HBF則是通過堆疊NAND閃存來制造。


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