11月4日消息，據韓國媒體DealSite報導，三星電子正加速導入10nm級 1c 制程DRAM設備，目標在明年初啟動HBM4量產，努力追趕已率先與英偉達簽署HBM4供應合約并進入量產階段的SK 海力士。

業界消息指出，三星近期已在平澤園區（Pyeongtaek）完成第二廠（P2）1c DRAM 設備進場，并同步于第三廠（P3）與第四廠（P4）導入新設備，積極擴充先進1c DRAM產能。

三星預計于本月完成最終客戶樣品（Customer Sample，CS）的內部可靠度測試（PRA），隨后將樣品送交英偉達進行GPU 整合驗證。若進展順利，產品有望于明年下半年正式出貨。三星內部人士透露，樣品測試結束后，英偉達將展開為期約四個月的GPU 驗證流程，完成最終認證后，三星有望于明年初開始分配量產訂單。

三星原先在平澤第二廠（P2）與第三廠（P3）主要生產前一代DRAM 產品，但隨著市場需求轉向高性能與高帶寬應用，公司近來逐步減產舊制程DRAM芯片，并將部分產線改造為最新的1c 制程。這項改造工程通過升級既有廠房與設備，讓舊產線能生產新一代DRAM芯片。

目前，三星HBM4 的核心生產據點第四廠（P4）預定于明年啟動；主晶圓廠PH1 已同時運作NAND 與1c DRAM 產線，PH3 自6 月起導入新設備，PH4 正在建設階段，PH2 則預計在年底或明年初開工。

盡管1c DRAM開發進展穩定，但量產良率仍是三星面臨的最大挑戰。據業界人士透露，目前以1c 制程生產的HBM4 樣品良率約為50%，尚未達到量產門檻。由于HBM4 采用多層堆疊結構，芯粒面積較前代HBM3E 更大，同一晶圓可產生的良品數量相對減少，也使良率提升速度緩慢。

三星為此同步強化后段封裝流程，并與韓美半導體（Hanmi Semiconductor）展開合作，以穩定堆疊精度與整體制程品質。分析指出，若能將HBM4 晶圓良率提高至70% 以上，將具備轉入量產的條件。

業界普遍認為，三星此舉與英偉達明年下半年推出的新一代AI 加速器Rubin 密切呼應。考慮到SK 海力士已于9 月宣布完成HBM4 量產體系，三星的設備導入與產線改造已進入最后階段，但能否在短期內達到穩定良率，仍需觀察。