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三星与SK海力士竞逐3D DRAM 争夺AI时代内存主导权
發(fā)表于：2026/5/8 上午11:27:13
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三星制造出首个10nm以下DRAM工程裸晶
發(fā)表于：2026/4/28 上午9:11:23
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三星发布10nm以下的DRAM技术
發(fā)表于：2025/12/17 下午2:24:10
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三星加速导入1c DRAM设备 全力推进HBM4量产
發(fā)表于：2025/11/5 上午11:46:24
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SK海力士启动1cGDDR7量产计划
發(fā)表于：2025/9/26 下午2:15:59
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设计改进助三星电子1c nm内存良率明显提升
發(fā)表于：2025/6/25 上午10:55:38
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美光率先推出第六代10nm级LPDDR5xDRAM内存
發(fā)表于：2025/6/4 下午2:35:39
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MIT工程师研发出10nm新型电子“皮肤”
發(fā)表于：2025/4/28 上午9:14:19
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美光宣布1γ DRAM内存开始出货
發(fā)表于：2025/2/26 上午10:22:00
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三星电子否认重新设计1b DRAM
發(fā)表于：2025/1/23 上午9:53:33
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美国最新报告：2032年美国将掌控28%先进制程产能
發(fā)表于：2024/5/10 上午9:00:00
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三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年
發(fā)表于：2024/4/7 上午8:51:00
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意法半导体或将进军10nm工艺
發(fā)表于：2022/12/12 下午1:25:36
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中芯国际业绩这么好，营收、利润创纪录，为何市值反而跌了40%
發(fā)表于：2022/4/15 上午7:54:36
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联电、格芯大调整，或重启10nm以下芯片，中芯国际怎么看？
發(fā)表于：2021/12/7 下午6:44:58
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抓住两次机会，ASML在全球再没有了对手
發(fā)表于：2021/11/15 下午7:48:10
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SK海力士采用EUV量产第四代10nm级DRAM
發(fā)表于：2021/7/13 上午8:44:08
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SK海力士：未来十年将研发10nm以下工艺DRAM和600层NAND！
發(fā)表于：2021/3/26 下午2:17:09
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英特尔CEO再次强调：公司会保留晶圆厂
發(fā)表于：2021/1/12 上午9:40:30
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中芯国际获准延长OTCQX交易：蒋尚义/梁孟松都在
發(fā)表于：2021/1/11 下午10:43:53
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中芯国际获许可证包括EDA、设备和材料！
發(fā)表于：2021/1/5 下午3:44:32
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传中芯国际获成熟工艺许可，梁孟松未走，另一独立非执行董事辞任
發(fā)表于：2021/1/4 下午9:24:14
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中芯国际获美成熟制程设备许可，市场紧张程度缓解
發(fā)表于：2020/12/31 下午9:33:55
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10nm卡死，梁孟松出走，中芯国际的转机在哪
發(fā)表于：2020/12/30 下午5:28:44
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英特尔：三个工厂正在全速生产10nm芯片
發(fā)表于：2020/12/25 上午6:56:32
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封锁10nm还不够？美国议员呼吁更严厉限制
發(fā)表于：2020/12/24 下午7:11:48
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过桥10nm
發(fā)表于：2020/12/22 下午9:24:13
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被美国拉黑 中芯国际未来半年不受影响
發(fā)表于：2020/12/22 下午4:35:18
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在中芯国际代工的产品不涉及10nm及以下技术节点
發(fā)表于：2020/12/22 上午6:51:23
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被美国纳入“实体清单”后 中芯国际回应：10nm及以下重大不利影响
發(fā)表于：2020/12/21 下午10:41:20
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