根據韓國媒體The Elec報導，三星電子已成功制造出全球首款制程低于10nm級的DRAM工程裸晶，代表著內存產業正式突破長久以來的物理極限限制。

長期以來，DRAM產業的微縮技術主要依賴10nm級制程（涵蓋1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d，19nm-10nm之間）。如今，三星正全力開發全新的“10a”制程技術。市場分析指出，10a制程將使線寬進一步縮小至9.5到9.7nm之間，成為業界首個跨入10nm以下（sub-10nm）制程技術。日前，三星已經10a制程生產晶圓后，在檢查裸晶特性時成功確認了工程裸晶的誕生，目前正計劃通過調整制程條件來迅速提升并確保良率。

報道表示，這項革命性突破的兩大核心技術，在于首度應用了“4F2單元結構（4F Square Cell Structure）”以及“垂直信道晶體管（VCT，Vertical Channel Transistor）”制程。目前的DRAM產品普遍采用6F結構（即3F×2F的長方形內存塊），而全新的4F結構則轉變為更緊湊的方形設計（2F×2F）。僅通過這項結構上的改變，就能將每個集成電路的單元密度大幅提升30%至50%，這不僅能提供更龐大的儲存容量，更能有效節省功耗。

此外，新款DRAM在材料應用上也有所革新，舍棄了過去產品使用的硅，轉而采用銦鎵鋅氧化物（IGZO）等新型材料。由于新世代的內存單元更為狹窄，導入IGZO能有效減少漏電問題，確保數據的良好保存性。

根據三星的發展藍圖，搭載這些新變革的10a DRAM預計將于2026年完成開發，并計劃于2028年量產。4F新結構將在10a世代率先采用，并于未來的10b與10c世代中持續優化。而后續的“10d”世代DRAM則預計將全面邁入“3D DRAM”技術領域，并計劃于2029至2030年間問世。

至于，在市場競爭態勢方面，三星的競爭對手美光（Micron）目前選擇暫停其4F計劃，決定直接等待未來的3D DRAM技術。與此同時，缺乏先進光刻設備的中國制造商在生產3D DRAM上將面臨不小的挑戰。不過，由于3D DRAM的設計可能與3D NAND有相似之處，這為中國廠商保留了提升制程的一線生機。