12月16日，三星電子在舊金山舉行的第70屆國際電子器件會議上宣布，其旗下三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節點上生產DRAM，這個突破將解決移動DRAM發展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在于實現小于10nm的DRAM 制程，這對于移動DRAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統的演進方法已經達到物理極限。
三星將其技術命名為“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶體管的高耐熱非晶氧化物半導體晶體管”，其采用存儲單元堆疊在外圍電路上，這種方法簡稱為單元-外圍電路（Cell-on-Peri，簡稱CoP）。這與目前將外圍電路放置在存儲單元下方的方式截然不同，因為外圍電路在高溫堆疊過程中容易受到損壞，導致性能下降。因此，三星采用了一種基于非晶銦鎵氧化物（InGaO）的晶體管，這種晶體管可以承受高達 550 攝氏度的高溫，從而防止性能下降。
三星補充說，這種垂直溝道晶體管的溝道長度為 100nm，可以與單片 CoP DRAM 架構集成。并且，在測試過程中，漏極電流的劣化程度極小，晶體管在老化測試中也表現良好。
消息人士稱，該技術目前仍處于研究階段，未來將應用于10nm以下的0a和0b類DRAM。后續隨著這項技術的推出，有望使三星在高密度存儲器市場中更具競爭力。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。