其2nm GAA工藝研發進度提前,目前已經結束了路徑探索。供應鏈預計臺積電2023年下半年可望進入風險性試產,2024年正式量產。
GAA即環繞柵極晶體管,是FinFET(鰭式場效應晶體管)的取代。FinFET由華人科學家胡正明團隊研制,首發于45nm,目前已經推進到5nm。
不過在5nm或者4nm之后,臺積電和三星出現了些許分歧,三星將在3nm就開始應用GAA晶體管,臺積電則是2nm。
臺積電董事長劉德音(Mark Liu)最新表態稱,位于臺中的工廠有望擴充,以為2nm增加更多產能支持。
盡管臺積電在今年二季度拿到了全球晶圓代工營收的一半,可三星的追趕步伐并未停歇。今年的RTX 30系列顯卡GPU核心、部分驍龍SoC等均選擇三星代工。
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