過(guò)去以及未來(lái)幾年，臺(tái)積電、三星都在新工藝上開(kāi)足了馬力，幾乎一年一個(gè)樣，比如三星就要連續(xù)推出8/7/6/5/4nm工藝。

臺(tái)積電也不甘示弱，聯(lián)合CEO魏哲家(CC Wei)今天就公開(kāi)表示，臺(tái)積電將在2018年量產(chǎn)7nm，而且一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。

EUV技術(shù)是半導(dǎo)體領(lǐng)域多年來(lái)一直夢(mèng)寐以求的里程碑式技術(shù)，如果達(dá)成可以大大向前推進(jìn)摩爾定律，并大幅度提高產(chǎn)能，但該技術(shù)過(guò)于復(fù)雜，一再推遲，就連Intel也始終搞不定。

三星計(jì)劃在7nm工藝上首次使用EUV，時(shí)間點(diǎn)不詳，估計(jì)最快也得2019年，理論上和臺(tái)積電差不多。

魏哲家表示，臺(tái)積電的制造工藝主要面向移動(dòng)、高性能計(jì)算、汽車(chē)、IoT物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，其中現(xiàn)在的10nm主要針對(duì)移動(dòng)設(shè)備。

7nm工藝則可以同時(shí)適用于移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算和汽車(chē)領(lǐng)域，目前已有12款移動(dòng)芯片完成流片，適合汽車(chē)設(shè)備的版本會(huì)在明年達(dá)到AEC-Q100 (Grade 0)標(biāo)準(zhǔn)，面向高性能計(jì)算的版本也即將定型。——據(jù)說(shuō)，AMD、NVIDIA都會(huì)使用臺(tái)積電7nm。

繼續(xù)往前，臺(tái)積電的5nm則主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算，以及2019年試產(chǎn)。