據韓媒報導，傳三星電子 （Samsung Electronics） 已在磁阻式隨機存取內存 （MRAM） 取得重大進展，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星電子將會發布該公司所研發的 MRAM 內存。
由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導體巨擘皆正大舉發展次世代內存“磁電阻式隨機存取內存 （MRAM）”，與含 3D XPoint 技術的“相變化內存 （PRAM）”及“電阻式動態隨機存取內存 （RRAM）”。
上述三類次世代內存皆具有非揮發性內存技術，兼具高效能及低耗電之特性，估計這類次世代內存處理速度，將比一般閃存內存還要快上十萬倍。
目前三星電子正大力發展 MRAM 內存，而另一半導體巨擘英特爾 （INTC－US） 則是強攻含 3D XPoint 技術的 PRAM 型內存。
全球最大半導體代工廠臺積電 （2330－TW） 亦曾在 4 月 13 日對外說明，臺積電絕對不會踏入標準型內存領域，因為臺積電目前已具備“量產”MRAM 及電阻式動態隨機存取內存 （RRAM） 等新型內存之技術。
據韓國半導體業內人士透露，全球半導體巨擘正在次世代內存市場內強力競爭，這很可能將全面改變半導體市場的發展前景，并成為未來半導體代工的主要業務之一。
《韓國經濟日報》表示，磁電阻式隨機存取內存 （MRAM）、相變化內存 （PRAM）、電阻式動態隨機存取內存 （RRAM） 等三大次世代內存中，又以 MRAM 的處理速度最快，但也是最難量產的內存類型。
據了解，目前歐洲最大半導體商恩智浦半導體 （NXPI－US） 已經決定采用三星電子的 MRAM 內存，以應用在相關的物聯網裝置之上。
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