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存储芯片三大厂商不同策略抢占DRAM市场
發(fā)表于：2025/12/8 上午9:41:09
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三星4nm工艺良率升至70%
發(fā)表于：2025/12/8 上午9:32:44
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消息称三星新设定制SoC开发团队强化自研能力
發(fā)表于：2025/12/4 下午1:40:51
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传三星拿下英伟达明年SOCAMM2半数订单
發(fā)表于：2025/12/4 上午9:15:35
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三星考虑削减HBM3E产能 并扩产DRAM
發(fā)表于：2025/12/3 上午10:20:04
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三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%
發(fā)表于：2025/12/3 上午9:07:36
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三星半导体部门拒绝与手机部门签长期供应协议
發(fā)表于：2025/12/2 上午10:42:45
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三星2025H2成为谷歌TPU主力HBM内存供应商
發(fā)表于：2025/12/1 上午11:09:06
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消息称三星明年2月正式发布HBM4
發(fā)表于：2025/12/1 上午10:52:49
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2025Q3全球DRAM市场环比增长30%
發(fā)表于：2025/12/1 上午9:01:00
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三星研发新型NAND闪存技术 功耗暴降96%
發(fā)表于：2025/11/28 上午10:47:00
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三星与SK电讯联手研发6G 人工智能将全面接管网络管理
發(fā)表于：2025/11/28 上午9:59:16
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三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
發(fā)表于：2025/11/28 上午9:13:59
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三星HBM4对英伟达供应价格看齐SK海力士
發(fā)表于：2025/11/28 上午9:01:15
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韩国虽称霸HBM市场 但缺乏混合键合核心专利
發(fā)表于：2025/11/27 下午2:46:58
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三星24Gb GDDR7已进入量产
發(fā)表于：2025/11/27 上午9:07:52
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2025年Q3DRAM产业营收环比增30.9% 达414亿美元
發(fā)表于：2025/11/26 下午3:36:00
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三星打响自研芯片反击战 2nm 产能预估猛增163%
發(fā)表于：2025/11/25 上午11:39:13
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三星与SK海力士第四季DRAM售价将再次大幅上涨
發(fā)表于：2025/11/24 下午1:10:56
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三星电子正启动存储芯片产能重大战略调整
發(fā)表于：2025/11/24 上午9:28:52
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京东方宣布与三星显示OLED专利战达成和解
發(fā)表于：2025/11/19 下午1:18:52
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三星加速扩大1cnm DRAM生产
發(fā)表于：2025/11/19 下午1:03:16
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三星2nm工艺细节公布
發(fā)表于：2025/11/19 上午9:06:00
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传三星已拿下比特微及嘉楠科技2nm矿机芯片代工订单
發(fā)表于：2025/11/18 上午10:13:52
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特斯拉自建芯片工厂越来越近
發(fā)表于：2025/11/18 上午9:50:35
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美国加速芯片国产化 目标实现50%自给率！
發(fā)表于：2025/11/18 上午9:00:39
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三星电子与SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发
發(fā)表于：2025/11/14 下午1:17:00
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三星立志2027年拿下全球20%晶圆代工市场
發(fā)表于：2025/11/13 上午10:51:14
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存储芯片三巨头齐聚HBF新赛道
發(fā)表于：2025/11/12 上午10:47:20
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存储芯片商扩产 HBM设备供应商TOWA订单大涨
發(fā)表于：2025/11/11 上午11:02:58
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