12 月 1 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 上周（11 月 27 日）報(bào)道，三星電子將在明年 2 月舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上展示 HBM4。

據(jù)報(bào)道，三星這次計(jì)劃展示的 HBM4 容量為 36GB、帶寬 3.3TB/s，相比上個(gè)月展出的 36GB、2.4TB/s 的 HBM4 在帶寬上得到進(jìn)一步提升，三星還通過堆疊結(jié)構(gòu)與重新設(shè)計(jì)接口提升了速度和能效。

一位行業(yè)人士解釋道：“三星在每個(gè)通道上應(yīng)用了硅通孔（TSV）路徑的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)（TDQS）自動(dòng)校準(zhǔn)技術(shù)，從而提高高速區(qū)間的信號(hào)準(zhǔn)確度，針對(duì) AI 大模型等高流量場(chǎng)景進(jìn)行了優(yōu)化”。

值得注意的是，三星的對(duì)手 SK 海力士也將在明年 2 月公開下一代存儲(chǔ)技術(shù)，有望一并展示單 Pin 速率達(dá) 14.4Gb/s 的 LPDDR6 內(nèi)存，配備基于低壓差穩(wěn)壓器（注：LDO）的 WCK 時(shí)鐘分配架構(gòu)，可在超高速的情況下保持信號(hào)穩(wěn)定，相比上一代 LPDDR5X 提升更高。

此外，SK 海力士還將公開展示 GDDR7 顯存，單 Pin 速度最高可達(dá) 48Gb/s，容量 24Gb，最大的特點(diǎn)就是可以將通道分成兩部分，可同時(shí)進(jìn)行讀寫操作，面向 GPU、AI 邊緣推理、高分辨率游戲等場(chǎng)景。

作為參考，ISSCC 2026 將在明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美國(guó)舊金山舉行，其中的參會(huì)者大部分是企業(yè)研究人員，因此預(yù)計(jì)會(huì)有大量接近量產(chǎn)的新技術(shù)會(huì)在大會(huì)上首次亮相。