6 月 30 日消息，SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日根據(jù)其最新報(bào)告預(yù)測(cè)，全球 300mm 存儲(chǔ)器晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在 2026 年首次突破 500 億美元關(guān)口，達(dá)到 520 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 3538.3 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 29%。

從領(lǐng)域細(xì)分來看，DRAM 設(shè)備支出將以 370 億美元占據(jù)整體的 71%，同比增幅 29%；NAND 設(shè)備支出則將幾乎同步地同比提升 28%，來到 140 億美元。

展望未來，全球 300mm 存儲(chǔ)器晶圓廠設(shè)備投資在 2027 年預(yù)計(jì)還將增長(zhǎng) 11%，來到 570 億美元；2024~2029 年這六年間的整體 CAGR 則來到 +19%，顯示產(chǎn)能建設(shè)將長(zhǎng)期保持火熱。

與此同時(shí)，300mm 存儲(chǔ)半導(dǎo)體晶圓月產(chǎn)能將在今明兩年分別達(dá)到 410 萬片和 420 萬片。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：

對(duì) HBM 及其他先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的強(qiáng)勁需求，正在重塑整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的投資重點(diǎn)。隨著 AO 基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)展，存儲(chǔ)器制造商正在加速在產(chǎn)能和技術(shù)轉(zhuǎn)型方面的投資，以支持下一波數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。

不過該機(jī)構(gòu)也提到，由于先進(jìn)存儲(chǔ)器的技術(shù)遷移和工藝復(fù)雜度，存儲(chǔ)半導(dǎo)體有效產(chǎn)能的增長(zhǎng)仍保持溫和態(tài)勢(shì)。