4 月 20 日消息，當(dāng)?shù)貢r間 4 月 18 日，據(jù)日經(jīng)亞洲報道，內(nèi)存芯片短缺預(yù)計將持續(xù)至 2027 年前后。美國和韓國主要廠商正在擴產(chǎn) DRAM，但提產(chǎn)速度僅能覆蓋約 60% 的市場需求。

中東局勢動蕩正在推高電力與原材料成本，進(jìn)一步增加行業(yè)供給前景的不確定性。

三星電子計劃在今年啟用韓國平澤園區(qū)第四座晶圓廠，但全面量產(chǎn)預(yù)計要到 2027 年或更晚。同時，該工廠還將生產(chǎn)邏輯芯片，一定程度上限制了其內(nèi)存產(chǎn)能的擴張空間。

正在建設(shè)中的第五座工廠將聚焦高帶寬內(nèi)存（HBM），即用于人工智能芯片的高性能 DRAM，但預(yù)計要到 2028 年或更晚才會投產(chǎn)。

三星內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人金在俊（IT之家注：音譯，下同）表示，行業(yè)整體產(chǎn)能擴張受到限制，今年至 2027 年的供給增長將較為有限。

SK 海力士已于 2 月在清州投產(chǎn)一座 HBM 工廠，這是包括美光的三大廠商中唯一能夠在今年帶來新增供應(yīng)的項目。同時，公司正在加快推進(jìn)龍仁新廠建設(shè)，計劃在 2027 年 2 月完工，比原計劃提前三個月。

SK 集團(tuán)會長崔泰源指出，受晶圓短缺及短期擴產(chǎn)難度限制，AI 內(nèi)存緊張可能持續(xù)至 2030 年。

美光計劃在 2027 年于美國愛達(dá)荷州和新加坡啟動 HBM 生產(chǎn)，并將于 5 月在日本廣島建設(shè)新廠，目標(biāo)在 2028 年實現(xiàn)量產(chǎn)。此外，公司已于 1 月決定收購力積電的一座工廠，該工廠產(chǎn)品預(yù)計將在 2027 年下半年推出。

三星、SK 海力士和美光目前占據(jù)全球約 90% 的 DRAM 市場份額，也是幾乎唯一具備 HBM 生產(chǎn)能力的廠商。

近年來，三家公司將重心轉(zhuǎn)向 HBM，推遲通用內(nèi)存擴產(chǎn)，導(dǎo)致自 2025 年秋季起供應(yīng)趨緊。今年第一季度內(nèi)存價格預(yù)計環(huán)比上漲約 90%。

Counterpoint Research 測算，若要緩解短缺，行業(yè)需在 2027 年前實現(xiàn)約 12% 的年產(chǎn)能增長，但現(xiàn)有擴產(chǎn)計劃僅為約 7.5%。研究總監(jiān)黃敏秀表示，供需關(guān)系預(yù)計要到 2028 年才會恢復(fù)正常。

在 AI 需求持續(xù)增長的背景下，即便新增產(chǎn)能逐步投產(chǎn)，供需緊張是否能迅速緩解仍存在不確定性，因為先進(jìn)內(nèi)存工廠提升良率需要時間。

當(dāng)前約 80% 至 90% 的內(nèi)存芯片用于 PC、智能手機和服務(wù)器，其余用于汽車及工業(yè)設(shè)備。IDC 預(yù)計，今年智能手機銷量將下降 13%。

與此同時，內(nèi)存在低端智能手機中的成本占比已達(dá)約 20%，預(yù)計到今年年中將接近 40%。利潤空間被壓縮后，手機廠商可能減少產(chǎn)量，汽車零部件廠商也面臨內(nèi)存供應(yīng)不足的問題。