3 月 31 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日援引業內消息報道稱，三星電子的晶圓代工業務已定下 2030 年前完成 1nm 級先進制程工藝 SF1.0 開發并轉移至量產階段的目標。
報道指出，SF1.0 將采用 forksheet 叉片晶體管器件結構，這是現有 nanosheet GAA 全環繞柵極晶體管的演化。其在標準 GAA 的基礎上新增介質壁，可進一步提升晶體管密度與性能，該結構又分為“內壁”與“外壁”兩種類型。
▲ 內壁 forksheet，介質壁位于 nMOS 與 pMOS 之間圖源：imec
▲ 外壁 forksheet，介質壁位于 p-n 結外側圖源：imec
此外報道提到，三星電子計劃 2027 年實現 SF2P+ 工藝的商業化投產，而特斯拉的 AI6 芯片則將以 SF2T 工藝于 2027 年量產。
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