3月15日消息，AI時代HBM內存崛起，也成為DDR內存缺貨的元兇，皆因AI需求大，產能要求高。

此前SK海力士在HBM內存市場超越了三星，成為NVIDIA的AI GPU主力供應商，不過三星在HBM4內存上終于追回來，號稱全球首發量產HBM4內存。

再往后，三星還計劃進一步鞏固自己的優勢，在下一代的HBM4E內存上用上最先進的工藝，其中內存工藝升級到1c等級，基底（base die）芯片則一步到位升級到2nm工藝。

作為對比，三星當前的HBM4用的還是自家4nm工藝，SK海力士的HBM基底芯片甚至還在用臺積電的12nm工藝打造，可以看出三星有多激進。

升級到2nm工藝后，HBM4E內存的發熱、能效及芯片利用率等指標上預計會明顯改善，進一步提高三星的領先優勢。

HBM4E內存預計今年年中問世，定制版則會在下半年問世。

當然，SK海力士也不會落后太多，定制版的HBM4E內存也會計劃升級到臺積電的3nm工藝，具體表現可能比三星的2nm工藝還要好一點點。

對三星來說，隨著Exynos 2600的量產，自家的2nm工藝總算擺脫了以往拉跨的形象，不僅能大規模量產，性能、能效等方面至少也是合格了，特斯拉已經開始追加訂單了，產能預計翻倍還多，達到月產4萬晶圓的水平。