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英伟达苹果等百万年薪挖角HBM与NAND人才

2026-02-25
來源:快科技

2月25日消息,據報道,隨著內存在AI算力中的戰略地位飆升,美國科技巨頭正掀起針對韓國存儲人才的搶人大戰。

報道稱,美國科技巨頭正在針對三星電子和SK海力士的工程師開展定向招聘活動,旨在縮小這兩家公司在內存市場長期以來的領先優勢。

本月早些時候,NVIDIA發布了面向HBM開發工程師的職位空缺,基礎薪資高達258750美元(約178萬元人民幣);蘋果則在上個月發布了NAND產品工程師職位,年薪達到305600 美元(約210萬元人民幣)。

報道進一步指出,中國臺灣的聯發科也加入了競爭,尋求HBM工程師,薪酬約為260000美元,高通同樣開始在韓國招聘3D DRAM研發人員。

谷歌與博通作為TPU合作伙伴,同步在硅谷擴充HBM人才梯隊,分別招募性能評估工程師和高頻接口設計驗證專家。

特斯拉CEO馬斯克親自轉發韓國分公司AI半導體設計師招聘啟事,美光同樣激進,去年下半年起從三星、SK海力士挖角工程師,據傳為核心HBM專家開出兩倍現有薪資加3億韓元簽約金的條件。

面對嚴重的人才流失,三星和SK海力士不得不采取激進的激勵措施,SK海力士在2026年初發放了創紀錄的業績獎金,金額高達月薪的2964%;三星半導體部門也發放了年度總薪資47%的獎金,這也是自AI內存熱潮以來的最高水平。

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