2月12日，三星電子正式宣布，其業(yè)界領先的HBM4內存已開始量產，并已向客戶交付商用產品。這一成就不僅開創(chuàng)了行業(yè)先河，也將鞏固三星在HBM4市場的早期領先地位。

三星電子自豪地表示，通過積極利用其最先進的第六代 10 納米 (nm) 級 DRAM 工藝 (1c)，公司從量產之初就實現了穩(wěn)定的良率和業(yè)界領先的性能，所有這些都是無縫完成的，無需任何額外的重新設計。

三星電子執(zhí)行副總裁兼存儲器開發(fā)負責人黃相俊稱：“三星沒有沿用傳統的成熟設計，而是大膽創(chuàng)新，采用了最先進的制程節(jié)點，例如用于HBM4的1c DRAM和4nm邏輯工藝。憑借我們在制程方面的優(yōu)勢和設計優(yōu)化，我們能夠確保巨大的性能提升空間，從而滿足客戶日益增長的高性能需求。”

據介紹，三星的HBM4顯存可提供高達11.7 Gbps的穩(wěn)定傳輸速率，相比業(yè)界標準的8Gbps提升了約46%，樹立了HBM4性能的新標桿。這比其前代產品HBM3E的最高引腳速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能還可以進一步提升至13Gbps，有效緩解隨著AI模型規(guī)模不斷擴大而日益嚴重的數據瓶頸問題。

此外，與 HBM3E 相比，每個HBM4堆棧的總內存帶寬提高了 2.7 倍，最高可達每秒 3.3 太字節(jié) (TB/s)。

三星的HBM4采用的是12層堆疊技術，提供容量從24GB到36GB的HBM4容量。三星還將通過采用16層堆疊技術，將容量選擇擴展至最高48GB，以滿足客戶未來的需求。

為了應對數據I/O引腳數量從1024個增加到2048個所帶來的功耗和散熱挑戰(zhàn)，三星在核心芯片中集成了先進的低功耗設計方案。與HBM3E相比，HBM4通過采用低電壓硅通孔（TSV）技術和電源分配網絡（PDN）優(yōu)化，實現了40%的能效提升，同時熱阻降低了10%，散熱能力提高了30%。

三星表示，其HBM4 為未來的數據中心環(huán)境帶來卓越的性能、能源效率和高可靠性，使客戶能夠最大限度地提高 GPU 吞吐量并有效管理其總體擁有成本 (TCO)。

此外，三星還致力于通過其全面的制造資源（包括業(yè)內最大的DRAM產能之一和專用基礎設施）推進其HBM路線圖，以確保具有彈性的供應鏈，以滿足預計的HBM4需求激增。

特別是對于HBM4及后續(xù)產品來說，還將引入邏輯制程的基底芯粒，能夠滿足客戶定制化的需求。三星表示，其晶圓代工和存儲器業(yè)務之間緊密整合的設計技術協同優(yōu)化（DTCO）機制，可以確保最高的質量和良率標準。此外，公司在先進封裝領域擁有豐富的內部專業(yè)知識，從而簡化了生產流程，縮短了交貨周期。

三星還計劃擴大與主要合作伙伴的技術合作范圍，這是基于與全球 GPU 制造商和專注于下一代 ASIC 開發(fā)的超大規(guī)模數據中心運營商的密切討論而做出的。

三星預計其HBM產品銷量在2026年將比2025年增長3倍以上，并正積極擴大HBM4的產能。在HBM4成功推向市場后，HBM4E的樣品預計將于2026年下半年開始發(fā)放，而定制的HBM樣品將根據客戶的具體規(guī)格于2027年開始交付。