1月20日消息，據《朝鮮日報》援引市場研究公司Omdia的最新調研數據報道稱，存儲芯片大廠三星電子已經小幅下調了NAND Flash晶圓產量，預計從2025年的490萬片降至2026年的468萬片。與此同時，SK海力士的2026年NAND Flash產量預計也將呈現類似趨勢，從2025年的190萬片降至2026年的170萬片。這也意味著，2026年全球NAND Flash市場供應將繼續緊缺，價格可能將進一步上漲。

報道稱，占據全球NAND Flash市場超過60%份額的三星電子和SK海力士減產主要原因是，與當前盈利能力更高的DRAM產品相比，NAND Flash的利潤率相對較低，因此資本投資的優先級也較低。

三星電子和SK海力士的管理層也認為沒有必要大幅提高NAND Flash的產量，因為這兩家原廠過去在NAND Flash產品上的盈利能力一直處于較低水平，而利用當前的存儲器超級周期可以最大限度地提高利潤，因此他們認為專注于價格防御遠比貿然擴產更合適。

此外，隨著人工智能（AI）數據中心對基于NAND Flash的高容量固態硬盤（SSD）的需求不斷增長，三星電子和SK海力士為提升單位NAND Flash芯片的容量供應，正在從現有的TLC（Triple-Level Cell，三層單元）技術向更適合AI數據中心需求的QLC（Quad-Level Cell，四層單元）生產線過渡。

資料顯示，NAND Flash從TLC 轉向 QLC，每個儲存單元（Cell）能夠儲存更多的數據位元（Bits），存儲密度將進一步提升，這也意味著能夠在相同的NAND Flash芯片中存儲更多的數據，并降低綜合成本，雖然會犧牲部分的耐用性，但如果配合優秀的主控以及用于無需頻繁讀寫的數據存儲，這也將不是問題。

據花旗銀行的預測，英偉達下一代AI加速器“Vera Rubin”將于今年下半年開始量產，每臺Vera Rubin NVL144服務器系統大約需要額外1152TB的固態硬盤（SSD）來支持英偉達的ICMS（集成存儲管理系統）運行。因此，假設Vera Rubin服務器在2026年的出貨量為3萬臺，2027年為10萬臺，那么由ICMS驅動的NAND Flash需求預計將在2026年達到3460萬TB，在2027年達到1.152億TB。僅這一項新增的需求，將分別占2026年和2027年全球NAND Flash預期需求的2.8%和9.3%。

所以，對于存儲芯片原廠來說，通過單純的增加NAND Flash晶圓的產出來應對需求的增長并非明智之舉，而通過TLC 轉向 QLC技術，則更能在有限的成本支出內獲得更多的容量產出。但是，在TLC 轉向 QLC技術的過程中，三星電子和SK海力士需要考慮諸多因素，包括設備建設、穩定期和初始良率等，因此過渡期間的自然減產也將不可避免。這也是三星電子和SK海力士今年NAND Flash產出將減少的一個原因。

一位半導體行業人士解釋說：“目前尚不清楚三星電子和SK海力士削減NAND Flash產量是出于有意還是自然而然，但無論如何，減產帶來的好處將在今年達到頂峰。”

另有分析表明，三星電子和SK海力士削減NAND Flash產量是進行產品組合的調整，以應對中國廠商不斷增加的通用NAND Flash供應的競爭。與三星電子和SK海力士減產不同，中國NAND Flash大廠長江存儲自去年以來一直在加大對通用NAND Flash的供應。

因此，三星電子和SK海力士削減NAND Flash產量，也被認為是通過減少面向移動和PC領域的NAND Flash供應，來應對中國廠商在這個市場帶來的價格競爭，同時增加在利潤率更高的服務器和企業級產品的供應，從而維護盈利能力的策略。

市場研究機構TrendForce此前也預計，三星電子、SK海力士等廠商維持著較為保守的NAND Flash產能策略，預計今年第一季度NAND Flash合約價格將比上一季度上漲33%至38%。IDC也觀察到，今年NAND Flash 容量的供應增長率預計在17%左右，低于近年來的平均水平。

野村證券今年年初在給客戶的報告中寫道：“渠道檢查顯示，多家存儲供應商持續推高價格，企業級NAND Flash價格漲幅尤為激進。”“SanDisk面向企業SSD的NAND Flash有望在3月份環比漲價超過100%。”