1月18日消息，英特爾本周四對其EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互連橋）技術與傳統2.5D封裝方案進行了對比，強調EMIB在成本、設計復雜度和系統靈活性等方面具備明顯優勢，更適合用于下一代先進封裝芯片的設計與擴展。
英特爾表示，EMIB 已被廣泛應用于其多款產品中，包括 Ponte Vecchio、Sapphire Rapids、Granite Rapids、Sierra Forest，以及即將推出的 Clearwater Forest 系列。
未來，無論是英特爾自研芯片還是面向代工客戶的產品，先進封裝都將成為核心能力之一。這些面向數據中心的高端芯片通常采用大規模封裝，集成多個芯粒（Chiplet），并通過 EMIB 及其他英特爾自有封裝技術進行互連。
作為對比，目前行業競爭對手（如臺積電）的先進封裝方案主要基于 2.5D 和 3D 技術。在 2.5D 封裝中，多個芯粒通過一整塊硅中介層進行連接，芯粒之間的信號傳輸依賴硅中介層內的 TSV（硅通孔）。
英特爾指出，這種方案需要額外使用大量僅用于布線的硅材料，隨著芯片尺寸增大，封裝成本和設計復雜度顯著上升，同時 TSV 也會對良率帶來不利影響。
英特爾認為，2.5D 封裝在芯片尺寸和芯粒組合方式上存在一定限制，不利于靈活地混合不同類型的計算芯粒和存儲芯粒，限制了系統級設計的自由度。
相比之下，EMIB 通過將小型硅橋直接嵌入封裝基板，在需要互連的芯粒之間提供高速連接，無需使用整塊硅中介層。英特爾強調，這種方式不僅降低了材料和制造成本，還能根據需求靈活放置互連橋，從而提升封裝設計的可擴展性。
英特爾目前將 EMIB 分為兩種主要形態。
其一是 EMIB 2.5D，適用于邏輯芯片之間或邏輯芯片與 HBM 之間的連接，并已于 2017 年進入量產。EMIB-M 在硅橋中集成 MIM 電容，EMIB-T 則在硅橋中引入 TSV，以便更好地支持不同封裝方案的 IP 集成。
其二是 EMIB 3.5D，該方案將 EMIB 與 Foveros 3D 封裝結合，用于構建更加復雜的異構系統。例如，英特爾數據中心 GPU Max 系列 SoC 便采用了 EMIB 3.5D 方案，集成了 47 個有效芯粒、跨越 5 種制程節點，總晶體管數量超 1000 億。
英特爾總結了 EMIB 的三大核心優勢：封裝良率處于正常范圍、具備顯著的成本節約空間，以及整體設計流程相對簡單。
英特爾認為，隨著其加速推進代工業務，并布局包括 14A 在內的先進制程節點，EMIB 與 Foveros 等先進封裝技術將成為提升競爭力的關鍵因素，也有望加劇與臺積電在高端芯片制造領域的競爭。
