12 月 26 日消息，美國商務部此前于當?shù)貢r間 12 月 20 日正式宣布，將根據(jù)《CHIPS》法案激勵計劃提供高達 47.45 億美元（注：當前約 346.37 億元人民幣）的直接資金，補貼規(guī)模較今年 4 月初步條款備忘錄中的 64 億美元減少超 1/4。

對比兩份文件，發(fā)現(xiàn)三星電子承諾的在美半導體領域投資規(guī)模從 4 月的“超過 400 億美元”降至 12 月的“超過 370 億美元”，同時項目細節(jié)也相應有所調(diào)整：

三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座生產(chǎn) 3D HBM 和 2.5D 封裝的先進封裝設施，但在最終協(xié)議中刪去了有關內(nèi)容；此外三星位于泰勒市的兩座先進制程工廠原本計劃專注量產(chǎn) 4nm、2nm 制程技術，但最終協(xié)議僅提及了 2nm。

這也帶動相關項目可提供的高薪制造業(yè)工作崗位和建筑工作機會從 4500 多個和超 17000 個降低到了 3500 多個和約 12000 個。

▲ 三星在美半導體設施工地

如此看來三星在美先進制程產(chǎn)能將重點關注下代尖端節(jié)點，而非目前已趨近成熟穩(wěn)定的 4nm；同時三星也暫時擱置了在美提供先進制程 + 先進封裝“一站式”服務的計劃。

三星新任 foundry 負責人韓真晚曾表示該部門目前最關鍵的任務是實現(xiàn) 2nm 產(chǎn)能的快速（良率）爬坡。更優(yōu)秀的工藝質(zhì)量也有助于三星泰勒廠 2nm 贏得美國本土 Fabless 設計企業(yè)的青睞。