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美国要再出手,全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片

2023-02-28
來源:互联网乱侃秀
關鍵詞: DRAM NAND 芯片

眾所周知,從去年10月份開始,美國對中國的芯片產業就進行了一輪新的打壓,并且是全面的打壓。

按照當時的禁令,對18納米以下DRAM內存的生產設備,128層以上NAND閃存生產設備,以及14納米以下邏輯芯片的生產設備全部禁售。

很明顯,美國的目的就是要鎖死這些先進芯片的生產,讓中國只能生產落后的芯片,然后先進的芯片靠進口,這樣美國不僅可以獲得經濟上的利益,還能夠繼續卡住我們的脖子。

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不過當時,考慮到一些國外廠商在中國也設有晶圓廠,并且是涉及到先進工藝的,比如韓國三星、SK海力士在國內的DRAM、NAND廠。

比如三星在西安設有生產兩座NAND工廠生產128/176層存儲芯片。SK海力士在無錫擁有兩座DRAM晶圓廠,生產14nm工藝的。

所以美國對韓企進行了豁免一年,即三星、SK海力士的工廠,暫時不受限,可以采購到先進的設備,用來生產18nm以下DRAM、128層以上NAND。

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但是這個豁免可能也要收緊了,美國商務部副部長Alan Estevez 2月23日在華府智庫戰略與國際研究中心(CSIS) 主辦的論壇中表示:“美方可能對韓企在中國的成長程度設限,那些公司會被要求停留于目前所處的堆疊層數,或其技術范圍內某水平。”

什么意思?意思就是接下來美國會出手,韓企也會受限,不準這些韓企再采購先進設備了,也不準這些韓企的芯片制造工藝前進了。

更確切一點的來講,就是美國計劃全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片制造,不管是國外企業,還是中國本土企業,都鎖住。

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這會導致什么后果?一是中國大陸境內,基本上就接觸不到先進工藝的設備,徹底與這些設備無緣了,這個影響有多大,大家懂的。

其次,這些韓企后續為了發展,可能不得不外遷,遷到一些不受限的國家和地區去,這對中國制造也會形成大的沖擊,因為這些外企一遷,又會影響到上、下游的供應鏈……

可見,我們不能抱有任何幻想,只有自研、突破,讓對方沒有脖子可卡才行。



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