在今天開幕的科技創新論壇會議上，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森除了探討未來半導體工藝延續到0.1nm的可能之外，還宣布了一個重要消息——臺積電已經啟動2nm工藝研發，預計四年后問世。

　　在臺積電目前的工藝規劃中，7nm工藝去年已經量產，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已經投入量產；

　　6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產；

　　5nm全面導入EUV極紫外光刻，已經開始風險性試產，明年底之前量產，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)，之后還有個增強版的N5P工藝。

　　3nm有望在2021年試產、2022年量產。

　　在3nm之后就要進入2nm工藝了，實際上臺積電今年6月份就宣布研發2nm工藝了，工廠設置在位于臺灣新竹的南方科技園，預計2024年投入生產。

　　按照臺積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

　　不過臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料，性能、功耗等指標更是無從談起。