三星15日在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
其實在今年1月，三星已經(jīng)向關(guān)鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質(zhì)的SSD產(chǎn)品，如今半年過去，產(chǎn)能擴充，消費級用戶可以順利用上了。
新的閃存芯片將用于生產(chǎn)手機UFS存儲、PC/服務器固態(tài)盤、外置存儲卡等產(chǎn)品。
三星強調(diào)，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達1Gbps，是目前業(yè)界最快，是上一代48層3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，電壓從3.3V降低到2.8V，說明工藝改良了不少，漏電極大減少，從而使效能提升30%。
競爭對手方面，東芝的64層也已經(jīng)少量出貨，SK海力士計劃在今年底量產(chǎn)更激進的72層產(chǎn)品。不過，三星強調(diào)，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者，它們有信心繼續(xù)保持領(lǐng)先，并在年底前將64層閃存的產(chǎn)能覆蓋到月度總量的50%以上。
可以預見，以TB為單位的固態(tài)盤、以及128GB以上的UFS3.0手機閃存或?qū)⒀杆倨占伴_來。
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