SEMI(國際半導體產業協會)的全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)報告指出，2015 年晶圓代工業整體產能已超越存儲器，成為半導體產業當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續領先。預料晶圓代工產能每年將成長 5%，超越業界整體表現，晶圓代工產能到 2017 年底預計將達到每月 600 萬片(8 吋約當晶圓)。

　　臺灣的晶圓代工產能居全球之冠，其中 12 吋的產能占全球晶圓代工產能比重 55% 以上。臺積電與聯電是臺灣晶圓代工產能的兩大主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準備迎接 10 納米以下制程產能。聯電則持續擴充 28 納米產能，十二 A 廠第五期也準備投入 14 納米制程。

　　另一方面，晶圓代工產能全球第二的中國則是成長最快的市場。2015 年中國整體晶圓代工產能為每月 95 萬片，預計到了 2017 年底將增至每月 120 萬片，占全球晶圓代工產能將近 20%。

　　中國晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC) 目前正致力提升北京 B1 廠和上海八廠(兩者均為 12 吋廠)等既有廠房的產能。同時該公司也正在提升新成立的北京 B2 廠(12 吋)與深圳十五廠(8 吋)產能。中芯的擴充計劃同時包含了先進的 28 納米/40 納米產能，以及技術成熟的 8 吋晶圓制程。其他擴大產能的業者還包括武漢新芯(XMC)，旗下 A 廠產能將持續投入 NOR 快閃存儲器代工業務;上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠，預計明年動工，2018 下半年起可望開始投注產能。

　　未來幾年，臺灣的晶圓代工業者也將對中國晶圓代工產能有所貢獻。今年稍晚聯電位于廈門的 12X 廠將開始投產，2017 年有力晶合肥廠，臺積電南京廠則將在 2018 年上線。這三處廠房全面投產后，將帶來每月至少 11 萬片(12 吋)晶圓的產能。

　　除了增加產能，先進制程的技術競賽也特別激烈。臺積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在 10 納米以下技術節點取得領先地位。技術的演進將帶動晶圓代工業者在未來幾年內持續投資，其中又以臺灣與中國為最。

　　SEMI 臺灣區總裁曹世綸表示，“2016 年全球半導體產業穩定成長，臺灣半導體產業長成長速度更是優于全球，尤其晶圓代工廠在制程創新、增加新產能以及設備投資方面都將領先其他廠商，也代表臺灣在全球半導體產業中持續扮演技術與產能的領頭羊角色。”