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Gen 5面世，领先技术有望助力Wolfspeed再现辉煌
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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抢占AI“碳”先机：三安光电如何打通算力革命的“任督二脉”
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丰田将在BEV车载充电系统导入Wolfspeed碳化硅MOSFET器件
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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
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Nexperia推出工业应用专用MOSFET
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英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET
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英飞凌OptiMOS™ 6产品组合新增TOLL、TOLG和TOLT封装的150V MOSFET，助推汽车电气化进程
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英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2
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瑞萨电子悄然放缓未来十年增长预期
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Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
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英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
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华硕侵犯力士科技MOSFET专利被判赔偿1050万美元
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Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
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CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
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意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
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英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET
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强茂推出SGT MOSFET第一代系列：创新槽沟技术
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Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器，进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
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Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
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东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
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Nexperia与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作伙伴关系
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业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
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Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
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我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
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Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
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Magnachip推出用于智能手机的第8代短沟道MOSFET
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