【2025年9月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布擴展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，該產品組合可同時支持頂部冷卻（TSC）與底部冷卻（BSC）兩種散熱方案，為研發(fā)人員的設計提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級的開關模式電源（SMPS），可廣泛應用于多個領域，包括AI服務器、可再生能源系統(tǒng)、電動汽車及電動汽車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅動系統(tǒng)。
CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET 是基于第二代（G2）CoolSiC 技術打造的。相較于上一代產品，其品質因數更優(yōu)、可靠性更高，且易用性顯著提升。不同封裝類型各具優(yōu)勢：TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝在印刷電路板（PCB）上具備出色的熱循環(huán)穩(wěn)定性，有助于實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設計。應用于SMPS時，這類封裝可減少 PCB 的空間占用，并在系統(tǒng)層面降低制造成本。目前，TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝的目標應用范圍已進一步擴大，能幫助 PCB 設計人員應對成本降低的挑戰(zhàn)。TOLT 封裝的加入進一步強化了英飛凌不斷壯大的TSC產品組合 —— 該組合目前已涵蓋 CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN?及 Optimos?系列產品。采用 TSC 設計的器件其直接散熱效率可實現(xiàn)高達 95%，且允許設計人員充分利用 PCB 的正反兩面，既能提升了空間利用率，又能減少寄生效應。
供貨情況
CoolSiC? 650 V G2 系列 75 mΩ 規(guī)格的 MOSFET 目前已正式發(fā)售，可提供 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 及 TO247-4 多種封裝類型。
