Nexperia日前宣布，為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校，可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中，80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能，專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統，或高功率工業電機。
在并聯兩個或多個MOSFET以實現高電流能力和降低導通損耗的過程中，設計人員往往難以確保在導通與關斷階段，負載電流可在各獨立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會最先導通，進而承受更高熱應力，可能會加速器件失效。為保障足夠的安全裕量，工程師通常會對終端應用中所用MOSFET的規格進行過度設計。這種方式不僅會增加成本、消耗更多時間，還需開展額外的測試，但仍難以保證器件在高負載電流（數十安培級別）場景下具有穩定表現。另一種方案是向供應商采購經過篩選匹配的器件，但同樣會增加終端應用的整體成本。
Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優異的特性和增強的動態均流功能，可幫助設計人員規避上述兩種方案的局限。在導通/關斷過程中，針對單器件電流達50 A的應用場景，這兩款開關能使并聯器件間的電流差值減少50%；同時，VGS(th)參數差異范圍縮小50%（最大值與最小值僅差0.6 V）。這一特性結合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on)，有助于在功率開關應用中提升能效表現。
新款ASFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝，工作溫度范圍為-55℃至+175℃。
