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發表于:2024/6/13 下午6:45:00
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
發表于:2024/5/30 下午5:13:44
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却
發表于:2024/5/13 下午3:17:05
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
發表于:2024/4/17 下午4:29:50
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
發表于:2024/4/16 下午9:30:59
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON)达到业内先进水平
發表于:2024/3/25 下午4:47:00
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
發表于:2024/3/21 下午8:35:22
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列
發表于:2024/3/14 下午5:44:00
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2
發表于:2024/3/13 上午10:29:00
Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET
發表于:2024/2/23 下午3:59:00
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关实现系统电源循环
發表于:2024/1/31 下午2:24:00
Nexperia推出首款SiC MOSFET
發表于:2023/11/30 下午1:11:00
Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系
發表于:2023/11/14 下午4:52:00
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
發表于:2023/9/6 下午2:35:46
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
發表于:2023/9/4 下午4:50:10
采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
發表于:2023/7/4 下午11:02:58
Nexperia扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列
發表于:2023/6/21 上午9:29:26
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC
發表于:2023/6/14 下午10:44:52
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
發表于:2023/6/14 下午9:41:00
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%
發表于:2023/6/6 下午1:59:05
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
發表于:2023/5/18 下午11:50:47
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列,改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
發表于:2023/5/15 上午7:56:15
Nexperia首创交互式数据手册,助力工程师随时随地分析MOSFET行为
發表于:2023/5/11 上午10:46:27
使用集成MOSFET限制电流的简单方法
發表于:2023/4/20 下午5:36:00
适用于运输领域的SiC:设计入门
發表于:2023/4/19 下午6:06:00
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
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东芝的新款150V N沟道功率MOSFET
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET),管脚尺寸缩小60%
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碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT吗?
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计划扩张产能25倍,罗姆积极布局迎接SiC时代
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