6 月 2 日消息，北方華創今日發布全新 12 英寸氣體團簇離子束（GCIB）刻蝕設備 Acme Glaion130。

該設備突破三大核心技術瓶頸，覆蓋先進邏輯、存儲、封裝、硅光芯片及 AR / VR 應用場景。

隨著集成電路制程向先進節點邁進，芯片特征尺寸進入原子級，對加工精度、表面質量和損傷控制提出嚴苛要求，而傳統化學機械拋光（CMP）、等離子刻蝕存在劃痕、亞表面損傷、精度有限等短板，無法滿足先進邏輯、存儲、硅光芯片等領域的核心需求。在此背景下，離子束刻蝕憑借原子級精度和近零損傷優勢，成為后摩爾時代半導體制造的關鍵工藝裝備。

IT之家從公告獲悉，傳統等離子刻蝕依賴化學反應 + 離子轟擊實現材料去除，而離子束刻蝕通過將離子加速并中和后直接轟擊晶圓表面，依靠物理濺射完成材料去除，兩者原理差異決定了性能差距。

與傳統工藝相比，團簇離子束刻蝕精度為納米級，方向性更佳，可實現近零損傷加工；幾乎適配所有材料，工藝靈活性更高，能完成晶圓局部定點精修、任意角度刻蝕等復雜需求。

Acme Glaion130 成功攻克業內三大技術難題，實現關鍵技術自主：

氣體團簇離子源技術：與常規單體離子源技術相比，刻蝕速率更快、表面質量更優、工藝損傷更低；團簇離子源的穩定性和束流質量達到同類型設備的更優水平，為原子級刻蝕提供核心支撐。

高速運動下電極技術：可實現晶圓的精準、快速定位，解決了高速運動下的穩定性難題，保障加工精度。

動態精確控制算法：搭載原位膜厚量測裝置，形成所需刻蝕 Map 并優化載臺運動軌跡，實現晶圓局部定點精修。

Acme Glaion130 具備多場景兼容能力，滿足高端芯片及前沿領域刻蝕需求：

先進邏輯 / 存儲芯片領域：通過定向刻蝕節省光罩層、降低工藝成本；設備實現高選擇比刻蝕，可降低線條側壁粗糙度、消除橋連缺陷，提升器件良率和性能，保障先進邏輯及存儲芯片量產。

先進封裝領域：實現表面活化、污染物去除及精準修平，提升晶圓鍵合質量和膜厚均一性，助力三維集成技術發展。

硅光芯片領域：可實現原子級表面平坦度，降低光散射損耗，提升光通信效率，助力硅光芯片產業向高端化迭代升級。

AR / VR 領域：支持離子束入射角度靈活調節，實現光柵刻蝕高均一性和漸變深度刻蝕，助力 AR / VR 設備光學性能升級。

北方華創表示，Acme Glaion130 實測性能優異，整面刻蝕膜厚控制精準，保持原子級光滑表面，綜合性能達到同類型設備領先水平。