12月8日消息，據最新曝光的一份瑞銀報告稱，中國半導體設備大廠北方華創（NAURA）90:1高縱橫比蝕刻方面可能取得了重大進展，這類刻蝕設備將可助力300層以上的NAND Flash閃存的生產。

瑞銀指出，如果北方華創最終能獲得國內NAND Flash晶圓廠客戶的訂單，這可能意味著數億甚至數十億美元的新增市場機會。此外，考慮到中國對先進邏輯芯片的需求反饋積極，認為北方華創來自國內先進邏輯芯片客戶的收入還有進一步增長的空間。

據此，瑞銀將北方華創2026/2027年的晶圓廠設備（WFE）收入預測分別上調了1%和8%。

隨著3D NAND技術的發展，其堆疊層數也越來越高，目前正在往300層以上方向發展。這就像是蓋數百層的“摩天大樓”，而每層之間的連通則需要通過極高深寬比的深孔刻蝕設備來挖出數百層樓深、且極其狹窄的“電梯井”

而每一層的材料總厚度是固定的，通常達到幾微米，如果要將數百層都互聯起來，就需要通過極高深寬比的深孔刻蝕設備來將數百層都打通，而這些結構必須筆直、均勻且互不干擾。而且為了在單位面積內塞入更多存儲單元，那么每個垂直通道孔的直徑必須做得非常小，目前已經進入幾十納米的量級。對于200層以上的3D NAND，這個比值輕松超過 60:1，并且隨著層數增加（更深）和工藝微縮（孔徑更小），這個比例還在不斷增大，對于300層以上的3D NAND就需要90:1甚至100:1邁進。這也是半導體制造中要求最苛刻的刻蝕工藝之一。

值得一提的是，此前，國內的刻蝕設備龍頭中微公司就已經宣布，在面向存儲領域所要求的高深寬比的深孔刻蝕方面，實現90:1的深孔刻蝕，并正在突破100:1的深孔刻蝕。