4月17日消息，據(jù)報道，ASML在2026年第一季財報會議上披露了EUV光刻機(jī)分別在低數(shù)值孔徑（Low NA）與高數(shù)值孔徑（High NA）機(jī)種方面的最新路線圖。

會議上，ASML釋放了兩條讓臺積電三星大客戶安心的重磅信息。其一是Low NA EUV技術(shù)將繼續(xù)服役至2031年；其二是High NA EUV加速走向量產(chǎn)階段。

ASML CFO戴厚杰明確表示，2026年Low NA EUV出貨至少60臺，2027年至少80臺，管理層已將供應(yīng)鏈準(zhǔn)備至Low NA 90臺/年的產(chǎn)能能力。

到2030年，Low NA EUV設(shè)備每小時晶圓處理能力將從目前的220片提升至330片，產(chǎn)能增長50%。

客戶報告顯示，High NA技術(shù)可將EUV光刻所需掩模數(shù)量從3塊減少到1塊，工藝步驟從100步壓縮至10步。該技術(shù)可覆蓋未來3至4個制程節(jié)點，顯著降低芯片制造成本。

ASML計劃2027年推出NXE:5200C系統(tǒng)，主要面向2nm及以下制程節(jié)點。

三星電子已率先行動，計劃采購兩套High NA EUV設(shè)備用于2nm制程量產(chǎn)，分別于2025年底和2026年初交付。

臺積電方面，首臺High NA EUV光刻機(jī)已移送至全球研發(fā)中心，用于A14等未來先進(jìn)工藝的開發(fā)。

此外，SK海力士已宣布訂購價值約80億美元的EUV設(shè)備，三星電子也下達(dá)了約40億至50億美元的訂單。

ASML同步上調(diào)2026年全年凈銷售額預(yù)期至360億至400億歐元，同比增長10%至22%。