上海校企聯合團隊近日在二維半導體領域取得重大突破，成功研發出迄今泄漏電流最低的二維半導體晶體管，并基于此打造出一款新型存儲芯片。

芯片的核心元件晶體管，好比控制電流的“智能水龍頭”。傳統硅基芯片發展至今，晶體管尺寸逼近物理極限，“水龍頭關不緊”的漏電問題日益突出，不僅增加設備能耗，更制約著人工智能等領域的算力提升。尤其是作為芯片“記憶核心”的DRAM（動態隨機存取）存儲器，需頻繁充電刷新以維持數據，成為能耗主要來源。

二維半導體晶體管示意圖

針對這一行業痛點，復旦大學聯合上海原集微科技、長鑫存儲等單位組建攻關團隊，實現了創紀錄的超低泄漏電流，相當于9.15秒僅泄漏一個電子，在此基礎上打造的新型DRAM存儲芯片，在零保持電壓下實現了超過8500秒的超長數據保持時間，同時兼顧高速讀寫與多容量存儲能力，大幅降低能耗的同時性能不打折。

這項技術的落地應用前景廣闊。在移動設備、物聯網終端等場景下，該存儲芯片可顯著延長續航時間，在人工智能算力中心，整體能耗也能大幅降低。更關鍵的是，這一獨特優勢可為存內計算架構提供硬件支撐，破解數據搬運效率低的“內存墻”難題。目前，該技術正加速推進與現有半導體工藝的兼容適配，為產業化落地鋪路。

作為上海孵化的二維半導體初創企業，原集微科技依托復旦大學十余年科研積淀，打通從材料制備到器件制造的完整工藝鏈條。此次突破驗證了上海在二維半導體領域“產學研用”協同創新的成熟生態——從高校原創技術攻關，到本土企業推動工程化轉化，再到龍頭企業協同驗證，形成了閉環創新體系。