12月29日消息，存儲三巨頭SK海力士、三星和美光，正加速開發(fā)16-Hi HBM內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2026年第四季度向NVIDIA供貨。

據(jù)悉，NVIDIA已向供應(yīng)商提出需求，希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片，用于其頂級AI加速器。

一位行業(yè)人士表示：“繼12-Hi HBM4之后，英偉達又提出了16-Hi的供貨需求，因此我們正在制定非常快速的開發(fā)時間表。性能評估最早可能在明年第三季度之前開始。”

16-Hi HBM技術(shù)尚未實現(xiàn)商業(yè)化，其開發(fā)面臨諸多技術(shù)難題，尤其是隨著堆疊層數(shù)的增加，DRAM堆疊的復(fù)雜性呈指數(shù)級上升。

根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，HBM4的總厚度限制在775μm，要在這一有限空間內(nèi)塞進16層DRAM芯片，意味著晶圓厚度必須從目前的50μm壓縮至30μm左右，而如此薄的晶圓在加工中極易損壞。

此外，粘合工藝也是競爭焦點，目前三星與美光主要采用 TC-NCF技術(shù)，而SK海力士則堅持MR-MUF工藝。

為了增加堆疊層數(shù)，粘合材料的厚度必須縮減到10μm以下，如何在極致輕薄化后依然能有效散熱，是三家企業(yè)必須跨越的“大山”。

16-Hi被視為半導(dǎo)體行業(yè)的一道分水嶺，根據(jù)行業(yè)藍圖，下一代HBM5的堆疊層數(shù)也僅能達到16層，預(yù)計到2035年的HBM7才會實現(xiàn)20層和24層堆疊，而未來的HBM8也將止步于24層堆疊。