12月19日消息，據Wccftech報道，英特爾目前已準備好將其最為先進的Intel 14A工藝節點向廣泛外部客戶開放。廣發證券香港的分析顯示，英偉達（NVIDIA）和AMD計劃將該工藝應用到自己的下一代服務器CPU產品當中。而在此之前還有傳聞稱，英特爾贏得了代工蘋果公司AI服務器芯片的訂單。
為了發展晶圓代工業務，贏得更多的外部客戶，在今年年初陳立武出任英特爾CEO之后，就決定不再全力向客戶推銷Intel 18A制程，而是將晶圓代工業務的員工、設計合作伙伴和新客戶的精力都集中到更先進的Intel 14A 制程上，針對關鍵客戶的需求來重新開發Intel 14A 制程。
根據英特爾此前披露的數據顯示，Intel 14A相比Intel 18A將帶來15-20%的每瓦特性能提升，密度提升30%，功耗降低25-35%。同時，Intel 14A制程及其演進版本14A-E都將會采用第二代的RibbonFET 環繞柵極晶體管(GAA) 技術，以及全新的PowerDirect直接觸點供電技術（18A是PowerVia背面供電技術），并采用High NA EUV光刻技術進行生產。
值得注意的是，近日英特爾宣布其尖端制程晶圓廠已安裝了ASML的第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B，這也是目前全球最先進的光刻設備，將用于Intel 14A 節點制程的量產上。
早在2023年底，ASML 向英特爾交貨了首套High-NA EUV 光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000。英特爾將其做為試驗機，并于2024年初在美國俄勒岡州的Fab D1X 晶圓廠完成安裝。之后，該晶圓廠成為英特爾半導體技術研發基地，進一步研發基于High-NA EUV光刻技術的尖端制程。
ASML 第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B 在標準條件下，產量可達到每小時175片晶圓。但英特爾計劃做進一步調整，提升至每小時200片晶圓以上。新系統還在英特爾過去一年多對High-NA EUV 光刻設備的使用經驗之上，提升了套準精度達到了0.7nm。
顯然，Intel 14A不論是尖端技術的采用、技術指標，還是生產效率的提升，都有望領先于才剛準備引入背面供電技術、并且依然采用標準EUV光刻機生產的臺積電A16制程。而這或許也是吸引外部客戶的關鍵原因。
此外，基于Intel 18A 的 Panther Lake 即可將進入大規模量產，并于 2026 年 1 月 5 日在 CES 上首次亮相。廣發證券香港的分析顯示，Intel 18A的良率已在今年 11 月達到 60-65%，并計劃在 2025 年底前達到 70%。
