《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星电子初期LPDDR6内存参数确认

12nm 制程,10.7Gbps 速率
2025-11-07
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 DDR6 内存 12nm

11 月 7 日消息,CES 消費(fèi)電子展主辦方 CEA 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 5 日起在官網(wǎng)公示了部分 CES 2026 創(chuàng)新獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品,這其中就有三星電子的 LPDDR6 內(nèi)存

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三星在新一代低功耗 DDR 的早期版本中采用了 12nm 制程工藝,產(chǎn)品數(shù)據(jù)傳輸速率為 10.7Gbps,帶寬還因?yàn)楦嗟?I/O 通道數(shù)量進(jìn)一步提升。而得益于動(dòng)態(tài)電源管理系統(tǒng),其能效提升了約 21%。

此外,LPDDR6 還引入了增強(qiáng)的安全機(jī)制來保障數(shù)據(jù)完整性,使其應(yīng)用范圍從移動(dòng)領(lǐng)域擴(kuò)展到工業(yè)和關(guān)鍵任務(wù)型 AI 環(huán)境。


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