9月9日消息，據外媒Tom's hardware報道，英特爾首席財務官（CFO）David Zinsner在花旗 2025 年全球 TMT 大會上表示,下一代的Intel 14A（1.4nm級）制程技術將是英特爾為代工客戶從頭開始設計第一個尖端制造工藝，因為其將使用ASML最新的0.55NA（數值孔徑）的High NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200B。

“14A 將比 18A 更貴，”David Zinsner坦言：“雖然就晶圓廠投資而言，14A并沒有明顯更貴。但這肯定會帶來更高的晶圓制造成本，部分原因是我們期望在 14A 中使用High NA EUV 工具，而 18A 中并非如此。”

英特爾預計，與 18A 相比，其 14A 制造工藝的每瓦性能將提高 15% – 20%，功耗可降低 25% – 18%。14A還將采用第二代 RibbonFET 晶體管架構（一種升級的柵極全方位晶體管結構）和全新的背面供電技術 PowerDirect（一種將電源線直接連接到晶體管源極和漏極的背面供電網絡）。

Intel 14A 還有一項關鍵創新是 Turbo Cells，它通過在密集的標準單元庫中使用高驅動、雙高單元優化關鍵時序路徑來增強 CPU 和 GPU 頻率，從而在不影響面積或功耗的情況下提高性能。然而，為了實現 14A 生產，英特爾需要使用High NA EUV 光刻系統，這些系統可提供更好的分辨率，因此不需要依賴多圖案化。

ASML稱其High NA EUV 系統在單次曝光中實現了 8nm 分辨率，與當前 Low-NA EUV 工具的 13.5nm 分辨率相比有著很大的提升。盡管 Low-NA EUV 系統也可以使用雙圖案化（雙重曝光）達到 8nm分辨率，但這種方法會增加工藝復雜度并影響良率。然而，High NA EUV將曝光場減少了50%，需要芯片制造商調整其設計策略。此外，High NA EUV比現有的EUV光刻機更昂貴。

ASML 當前一代 Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E 每臺成本約為 2.35 億美元，而High NA EUV Twinscan EXE：5200B（或更高級）工具預計每臺成本為 3.8 億美元。由于該技術帶來的高成本和獨特挑戰，各家晶圓廠對于何時采用High NA EUV的規劃各不相同：英特爾正在推動幾年后利用High NA EUV量產14A，而臺積電則采取更謹慎的態度，其A16制程仍將采用Low-NA EUV。

旨在生產采尖端制程工藝芯片的晶圓廠目前的建設成本從 200 億美元到 300 億美元不等，具體取決于產能配置，因此以 15.2 億美元的價格增加四個 High-NA EUV工具幾乎不會顯著增加晶圓廠成本。同時，14A 研發成本高達數十億美元。因此，一旦所有額外成本都加上，它們確實會使 14A 工藝技術比 18A 更昂貴，這就是為什么英特爾代工需要外部客戶來證明額外成本的合理性。

“我認為英特爾首席執行官陳立武（ Lip-Bu Tan）所說的是，如果我們沒有在外部獲得 14A 客戶，將很難證明該節點的合理性，”David Zinsner說。“所以，是的，英特爾產品將成為 14A 的大客戶，事實確實如此，我們需要確保它達到我們可以為股東帶來合理投資回報率的水平。”

此外，David Zinsner還確認，英特爾理論上可將晶圓制造業務最高49%股份出售給外部投資者，不會違反與美國政府協議。但是有興趣投資者有限，英特爾不太可能在未來幾年內全面分拆晶圓制造業務并首次公開募股（IPO）。

不久前，美國政府以89億美元入股英特爾，獲得了英特爾約10%的股權，根據協議，英特爾必須在5年內保持對晶圓制造業務的控股權。若英特爾對晶圓制造業務持股低于51%，美國政府可再增持5%，顯示美政府對關鍵產業的控制權。