9月4日消息，隨著人工智能（AI）計算帶來更高的熱能負荷，現有散熱材料已難以滿足需求，導致芯片性能下滑。 據臺媒報道，近期半導體業界傳出消息稱，臺積電正廣發“英雄帖”，號召設備廠與化合物半導體相關廠商參與，計劃將12英單晶碳化硅（SiC）應用于散熱載板，取代傳統的氧化鋁、藍寶石基板或陶瓷基板。
過去SiC主要應用在功率元件（Power Devices）、車用及儲能領域，如今已進入新的發展階段，例如在AR智能眼鏡（AR Lens）鏡片及高階3D IC封裝中，需要碳化硅作為散熱材料，尤其是應用在散熱載板這個部分。其中，3D IC 封裝的SiC應用有兩個可能方向，首先是散熱載板，將以“導電型 SiC”優先測試; 下一階段則可能在硅中介層（Silicon Interposer）導入半絕緣型 SiC。
從材料特性來看，SiC的熱導率（K值）僅次于鉆石。 陶瓷基板的熱導率約200~230 W/mK，而碳化硅可達400 W/mK，甚至接近500W/mK，對數據中心與AI高運算需求而言，比傳統陶瓷更能滿足散熱需求。從散熱角度來說，雖然金剛石仍是理想的最終材料，但要做到12英寸晶圓規格，目前成本過高且技術尚未成熟。
碳化硅主要分為導電型（N型）與半絕緣型。 N 型呈現黃綠色半透明，而半絕緣型則接近全透明。 供應鏈人士透露，6英寸SiC晶圓目前仍是主流、8英寸是未來擴產方向，而臺積電要求的12英寸SiC若是作為中介層使用，對結構瑕疵的要求不像傳統SiC那樣嚴格，但中介層的關鍵在于切割技術，如果切割技術不佳，碳化硅的表面會呈波浪狀，就無法用于先進封裝。
然而，這是否與CoWoS下一代延伸技術CoPoS還是CoWoP有關？ 目前只知道 SiC 對臺積電來說可作為散熱材料。 業界人士認為，SiC的應用會因不同的封裝技術而有所不同，未來可能會有多條發展路線，目前也有一個方向是嘗試將SiC應用在PCB上，但目前看最明確的應用仍與AI相關。
