6 月 17 日消息，據韓媒 The Elec 報道，SK 海力士計劃大幅增加 1b nm 制程 DRAM 內存產能，以滿足 HBM3E 內存需求。
HBM 內存對 DRAM 裸片的消耗遠高于標準內存，因此 SK 海力士進一步擴張 1b nm 制程 DRAM 產能在一定程度上有助于緩解 HBM 內存目前的緊缺。
SK 海力士目標到今年年底將 1b nm 內存晶圓投片量增至 9 萬片，明年上半年進一步增加到 14~15 萬片。
為此 SK 海力士計劃將其位于京畿道利川市的 M16 內存晶圓廠升級至 1b nm 工藝。
M16 目前生產 1y nm DRAM 內存。如果完全轉產至 1b nm，預計將導致 SK 海力士 1y nm 產能從現在的每月 12 萬片晶圓下降至 5 萬片。
韓媒援引半導體設備行業消息人士的話稱，SK 海力士已提出了對 M16 晶圓廠進行設備移動和改造的要求，并計劃僅引進必需的沉積、光刻和蝕刻核心設備。
有相關人士表示，SK 海力士的追加投資仍受到此前存儲行業低谷期的影響，整體決策流程十分謹慎，不過目前相關訂單的增長已超出了上游設備廠商最初預期。
4 月曾報道，SK 海力士計劃 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 內存晶圓廠的建設。韓媒提到，相關設備訂單預計于 2025 年初開始下單
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。