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美光宣布其用于英伟达AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量产出货
發表于：2025/3/26 上午11:25:39
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消息称SK海力士将独家供应英伟达12层HBM3E芯片
發表于：2025/3/19 上午9:17:00
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消息称美光将加入16-Hi HBM3E战场
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三星电子HBM3E内存性能未满足英伟达要求
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SK海力士正式发布全球首款48GB 16Hi HBM3E
發表于：2024/11/6 上午10:58:25
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SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
發表于：2024/11/4 下午1:16:16
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三星高管暗示其HBM芯片已获英伟达质量测试重大进展
發表于：2024/11/1 上午9:30:37
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SK海力士将集成3D检测单元以提升12层HBM3E的良率和产量
發表于：2024/11/1 上午8:33:31
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NVIDIA B200 Ultra系列将改名为B300
發表于：2024/10/23 上午10:39:15
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通过英伟达认证
發表于：2024/10/18 上午10:19:43
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消息称三星电子因向英伟达供应延迟调减HBM内存产能规划
發表于：2024/10/11 上午10:10:51
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SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片
發表于：2024/9/26 上午11:29:39
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SK海力士调整生产线以便于专注先进HBM内存量产
發表于：2024/9/13 上午9:50:00
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美光宣布单颗36GB HBM3E内存
發表于：2024/9/11 上午9:50:35
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美光确认启动生产可用版12层堆叠HBM3E 36GB内存交付
發表于：2024/9/6 上午10:55:59
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SK海力士宣布9月底量产12层HBM3E
發表于：2024/9/5 上午11:25:20
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三星电子HBM3E内存已获英伟达验证
發表于：2024/9/4 上午9:33:36
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消息称三星8层HBM3E存储芯片已通过英伟达测试
發表于：2024/8/7 上午8:50:00
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三星芯片主管警告：不改革将陷入“恶性循环”
發表于：2024/8/2 上午8:16:00
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三星计划2024Q3量产8层HBM3E产品
發表于：2024/8/1 下午1:16:16
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三星成立新的HBM团队推进HBM3E和HBM4开发工作
發表于：2024/7/8 上午8:37:00
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消息称英伟达H200芯片2024Q3大量交付
發表于：2024/7/4 上午8:27:00
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NVIDIA13亿美元大单预定HBM3E内存
發表于：2024/6/21 上午8:30:18
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SK海力士展示HBM3E等AI内存解决方案
發表于：2024/6/20 上午8:35:45
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SK 海力士将提升1b nm DRAM 产能以满足HBM3E内存需求
發表于：2024/6/17 上午8:35:28
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黄仁勋确认三星HBM3e未通过英伟达认证
發表于：2024/6/5 上午8:57:20
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消息称三星电子8层堆叠HBM3E内存尚未正式通过英伟达验证
發表于：2024/5/14 上午8:39:21
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SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成
發表于：2024/4/26 上午8:59:13
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消息称三星和AMD签署价值4万亿韩元的HBM3E 12H供货协议
發表于：2024/4/24 下午12:25:28
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消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E
發表于：2024/3/25 上午8:59:00
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